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FPD1500SOT89_1 参数 Datasheet PDF下载

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型号: FPD1500SOT89_1
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内容描述: 低噪声高线性度PACKAGED PHEMT [LOW NOISE HIGH LINEARITY PACKAGED PHEMT]
分类和应用:
文件页数/大小: 12 页 / 783 K
品牌: FILTRONIC [ FILTRONIC COMPOUND SEMICONDUCTORS ]
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FPD1500SOT89
数据手册V3.0
T
YPICAL
T
联联
RF P
ERFORMANCE
:
功率传输特性
3.50
29.00
比较点
漏极效率和PAE
70.00%
3.00
70.00%
27.00
2.50
25.00
增益压缩(分贝)
60.00%
PAE
EFF 。
60.00%
50.00%
PAE (%)
50.00%
排水Ë FFI效率( % )
输出功率(dBm )
2.00
23.00
21.00
19.00
17.00
15.00
13.00
-2.00
1.50
40.00%
40.00%
1.00
30.00%
30.00%
.50
20.00%
20.00%
.00
10.00%
10.00%
0.00
2.00
4.00
6.00
8.00
10.00
12.00
14.00
-.50
16.00
.00%
-2.00
0.00
2.00
4.00
6.00
8.00
10.00
12.00
14.00
.00%
16.00
输入功率(dBm )
输入功率(dBm )
注:典型的功率和效率如上图所示。该器件在V偏压名义上
DS
= 5V ,我
DS
第I = 50%
DSS
在1.85 GHz的测试频率。测试器件进行调谐(输入和输出调整)为
最大输出功率在1分贝增益压缩。
典型的互调性能
VDS = 5V IDS = 50 % IDSS在f = 1.85GHz
-10.00
25.00
-15.00
-20.00
23.00
-25.00
21.00
-30.00
-35.00
19.00
-40.00
-45.00
17.00
-50.00
15.00
-1.00
1.00
3.00
5.00
输入功率(dBm )
-55.00
7.00
9.00
11.00
IM3 , dBc的
注意:
pHEMT制
设备有
增强
互调性能。这就产生OIP3
关于P的值
1dB
+ 14dBm 。这IMD
增强是受静态偏置和
施加到器件上的匹配
.
典型的I -V特性
直流IV曲线FPD1500SOT89
0.60
0.50
0.40
0.30
0.20
VG=-1.5V
VG-1.25V
VG=-1.00V
VG=-0.75V
VG=-0.5V
VG=-0.25V
VG=0V
0.10
注意:测量我的推荐方法
DSS
任何特定的I
DS
,是设置漏源电压(V
DS
)
在1.3V 。该测定点避免的发作
寄生自激振荡通常会扭曲
电流测量(该效果已被过滤从
的I-V曲线呈现上文)。设置V
DS
> 1.3V
通常会导致错误的测量电流,
即使在稳定电路。
漏源电流(A )
0.00
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
漏源极电压( V)
4
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
费尔多尼克化合物半导体有限公司
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电子邮件: sales@filcs.com
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第三奥德IM Poroducts ( DBC)
输出功率(dBm )
网址:
www.filtronic.com