FPD1050SOT89
L
OW
N
OISE
H
室内运动场
L
INEARITY
P
包装运输P
HEMT
F
EATURES
(1.8GH
Z
):
•
•
•
•
•
•
26 dBm的输出功率（ P1dB为）
17.5分贝小信号增益（ SSG ）
1.1分贝噪声系数
40 dBm的输出IP3
50％的功率附加效率
FPD1050SOT89E ：符合RoHS标准
（指令2002/95 / EC ）
数据手册V3.0
P
ACKAGE
:
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
:
该FPD1050SOT89是封装耗尽
模式的AlGaAs /砷化铟镓假晶高
电子迁移率晶体管（ pHEMT制） 。它
采用了0.25微米× 1050微米的肖特基势垒
门，通过高分辨率的定义stepper-
基于光刻。凹陷和
偏置栅结构最大限度地减少寄生效应，
优化性能，以外延
结构设计以提高线性度
的范围内的偏置条件和I / P功率电平。
T
YPICAL
A
PPLICATIONS
:
•
•
•
在PCS驱动程序或输出级/蜂窝
基站发射机放大器
高拦截点低噪声放大器
WLL和WLAN系统和其它类型的
无线基础设施系统。
E
LECTRICAL
S
PECIFICATIONS
:
P
ARAMETER
功率1分贝增益压缩
小信号增益
S
YMBOL
P1dB
SSG
C
ONDITIONS
VDS = 5 V ; IDS = 50 ％ IDSS
VDS = 5 V ; IDS = 50 ％ IDSS
M
IN
24.5
16
T
YP
26
17.5
M
AX
U
尼特
DBM
dB
功率附加英法fi效率
PAE
VDS = 5 V ; IDS = 50％的智能决策支持系统;
POUT =的P1dB
50
%
噪声系数
NF
VDS = 5 V ; IDS = 50 ％ IDSS
VDS = 5 V ; IDS = 25 ％ IDSS
0.9
1.1
dB
输出三阶截取点
（从15 〜5 dB以下的P1dB ）
IP3
VDS = 5V ; IDS = 50 ％ IDSS
匹配的最佳动力
匹配最佳IP3
37
39
40
260
320
520
270
1
0.7
12
12
1.0
16
16
76
15
1.3
385
mA
mA
mS
µA
V
V
V
° C / W
DBM
饱和漏源电流
最大漏源电流
跨
栅极 - 源极漏电流
捏-O FF电压
栅源击穿电压
栅极 - 漏极击穿电压
热阻
IDSS
IMAX
GM
IGSO
| VP |
| VBDGS |
| VBDGD |
RθJC
VDS = 1.3 V ; VGS = 0 V
VDS = 1.3 V ; VGS
≅
+1 V
VDS = 1.3 V ; VGS = 0 V
VGS = -5V
VDS = 1.3 V ; IDS = 1.05毫安
IGS = 1.05毫安
IGD = 1.05毫安
注：t
环境
= 22 ° ;在f = 1850 MHz的使用CW信号的RF测量规范（特别注明的除外）
1
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
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