FPD1000AS
1W P
包装运输
P
OWER P
HEMT
•
性能（ 1.8千兆赫）
♦
31 dBm的输出功率（P
1dB
)
♦
15分贝功率增益（G
1dB
)
♦
43 dBm的输出IP3
♦
-42 dBc的ACPR WCDMA在21 dBm的P
CH
♦
10V操作
♦
50％的功率附加效率
♦
提供评估板
♦
可在网站设计数据
♦
适合于应用至5GHz
说明与应用
见包装纲要
标识代码
•
该
FPD1000AS
被包装的
耗尽型
铝镓砷/铟镓砷伪形态高电子
迁移率晶体管（ pHEMT制） ，在L波段功率应用进行优化。表面贴装
包已经被优化的低寄生效应。
典型的应用包括在PCS驱动程序或输出级/蜂窝
基站
发射机
放大器，以及在WLL / WLAN放大器等功率应用。
•
电气特性在22℃下
参数
功率1分贝增益压缩
功率增益1dB增益压缩
最大稳定增益
S
21
/S
12
功率附加英法fi效率
在1分贝增益压缩
3
rd
阶互调失真
Γ
S
和
Γ
L
调整以获得最佳的IP3
饱和漏源电流
最大漏源电流
跨
栅极 - 源极漏电流
捏-O FF电压
栅源击穿电压
栅极 - 漏极击穿电压
热电阻（通道到外壳）
电话：
+1 408 850-5790
传真：
+1 408 850-5766
符号
P
1dB
G
1dB
味精
PAE
IM3
测试条件
V
DS
= 10V ;我
DS
= 200毫安
Γ
S
和
Γ
L
调整以获得最佳的IP3
V
DS
= 10V ;我
DS
= 200毫安
Γ
S
和
Γ
L
调整以获得最佳的IP3
V
DS
= 10 V ;我
DS
= 200毫安
P
IN
=为0dBm ， 50Ω系统
V
DS
= 10V ;我
DS
= 200毫安
Γ
S
和
Γ
L
调整以获得最佳的IP3
V
DS
= 10V ;我
DS
= 200毫安
P
OUT
= 19 dBm的（单音级）
民
30
13.5
典型值
31
15.0
20
50
最大
单位
DBM
射频指标测量
f
= 1.8 GHz的使用CW信号
dB
%
-46
480
650
1100
720
20
0.7
6
20
0.9
8
22
25
50
1.4
800
dBc的
mA
mA
mS
µA
V
V
V
° C / W
I
DSS
I
最大
G
M
I
GSO
|V
P
|
|V
BDGS
|
|V
BDGD
|
Θ
CC
V
DS
= 1.3 V; V
GS
= 0 V
V
DS
= 1.3 V; V
GS
≅
+1 V
V
DS
= 1.3 V; V
GS
= 0 V
V
GS
= -3 V
V
DS
= 1.3 V ;我
DS
= 2.4毫安
I
GS
= 2.4毫安
I
GD
= 2.4毫安
见注下页
HTTP ： //
www.filtronic.co.uk/semis
修改后：
05/26/05
电子邮件：
sales@filcsi.com
FILTRONIC [ FILTRONIC COMPOUND SEMICONDUCTORS ]
