FPD1000AS
数据手册V3.0
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
阿婷
1
:
P
ARAMETER
漏源电压
栅源电压
漏 - 源电流
栅电流
2
RF输入功率
通道工作温度
储存温度
3
总功耗
P合计
请参阅下面的降额注
6W
针
总胆固醇
TSTG
在任何可以接受的偏置状态
在任何可以接受的偏置状态
非工作存储
27.5dBm
175°C
-40 ° C至150℃
S
YMBOL
VDS
VGS
IDS
IG
T
美东时间
C
ONDITIONS
7
-3V < VGS < -0.5V
0V < VDS < + 8V
对于VDS > 2V
正向或反向电流
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
12V
-3V
IDSS
+20/-20mA
注意事项：
1
T
环境
= 22 ° C除非另有说明;超过这些绝对最大额定值的任何一个可能会导致
对设备造成永久性损坏;用户应避免超过80 ％的2个或更多同时限制
2
马克斯。 1 ： RF输入限制，如果必须输入VSWR > 2.5进一步限制
3
定义为总功耗：P
合计
≡
(P
DC
+ P
IN
) – P
OUT
,
其中，P
DC
：直流偏置电源，P
IN
： RF输入功率，P
OUT
：射频输出功率
总功耗要降额，符合上述22 ° C：
P
合计
= 6 - （ 0.04W / ° C）控制x T
PACK
其中T
PACK
=源标签铅温度高于22°C
（降额式的系数是热导率）
例如：对于一个55 ℃的温度载体：P
合计
6W = - （ 0.04 ×（ 55 - 22 ） ） = 4.68W
5
为了达到最佳的散热，通过（来源）过孔应直接使用下面的中央金属填充
在封装的底面金属化接地垫
6
热电阻： 25℃ / W的标称值是衡量安装在一个大的散热片包
与热复合，以确保有足够的（回流）的接触。封装温度称为该
来源线索。
7
工作在绝对最大VD连续不推荐。如果操作被认为是那么IDS必须
被减小以保持部分内它的热功率耗散的限制。因此VGS限制
到<-0.5V 。
B
IASING
G
UIDELINES
:
•
有源偏置电路提供良好的性能稳定性上运行的变化
温度，但是需要的组件相比，自偏压或双偏置的更大的数字。
这种电路应包括以下条款，以确保栅偏置漏偏前申请，
否则的pHEMT可被诱导以自振荡。请联系您的销售代表
附加信息。
双偏置电路实现起来比较简单，但需要调节的负电压
供应耗尽型器件，如FPD1000AS 。
推荐200毫安偏置点名义上是AB类模式。少量的RF增益
膨胀压缩的发作之前是正常的运行点。
•
•
推荐工作偏置条件
:
•
•
漏源电压：
静态电流：
从5V至10V
25 ％I
DSS
到55％我
DSS
2
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
费尔多尼克化合物半导体有限公司
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