初步数据表
FP750SOT343
P
包装运输
L
OW
N
OISE
, M
EDIUM
P
OWER
pHEMT制
•
特点
♦
0.5分贝噪声系数在2GHz
♦
21 dBm的P- 1分贝2 GHz的
♦
17分贝功率增益在2 GHz
♦
33 dBm的IP3在2 GHz
♦
45％的功率附加效率
•
说明与应用
该FP750SOT343是一个打包的AlGaAs /砷化铟镓/铝镓砷伪形态高电子迁移率
晶体管（ pHEMT制），适用于要求低噪声系数的应用，中等输出功率
和/或高动态范围。它采用0.25
µm
x 750
µm
肖特基势垒门，被定义
电子束光刻法。该FP750的有源区钝化与思
3
N
4
和
SOT343 （也称为SC-70 ）封装，是理想的低成本，高性能的应用程序
要求表面贴装封装。
该FP750SOT343是专为商业系统用于低噪声放大器和
振荡器工作在射频和微波频率范围。低噪声系数使得它
适合于在WLL / RLL ，WLAN和GPS接收器的使用。这种装置也适用于
PCS和GSM基站前端。
•
电气规格@ T
环境
= 25°C
参数
饱和漏源电流
功率在1dB压缩
功率增益1dB压缩
功率附加英法fi效率
噪声系数
符号
I
DSS
P-1dB
G-1dB
PAE
NF
测试条件
V
DS
= 2 V; V
GS
= 0 V
F = 2GHz的; V
DS
= 3.3 V ;我
DS
≤ 110毫安
F = 2GHz的; V
DS
= 3.3 V ;我
DS
≤ 110毫安
F = 2GHz的; V
DS
= 3.3 V;
I
DS
= 110毫安; P
OUT
= 21 dBm的
F = 2GHz的; V
DS
= 3.3V ; 40毫安
F = 2GHz的; V
DS
= 3.3V ;我
DS
= 60毫安
F = 2GHz的; V
DS
= 3.3V ; 110毫安
V
DS
= 3.3V ;我
DS
≤ 110毫安
V
DS
= 2 V; V
GS
= 0 V
V
GS
= -5 V
V
DS
= 2 V ;我
DS
= 2毫安
I
GS
= 2毫安
I
GD
= 2毫安
民
180
20
16
典型值
220
21
17
45
0.4
0.5
0.7
33
220
5
-1.2
12
13
最大
265
单位
mA
DBM
dB
%
dB
dB
dB
DBM
mS
µA
V
V
V
输出三阶截取点
跨
栅极 - 源极漏电流
捏-O FF电压
栅源击穿
电压幅值
栅极 - 漏极击穿
电压幅值
IP3
G
M
I
GSO
V
P
|V
BDGS
|
|V
BDGD
|
170
35
10
10
电话：
(408) 988-1845
传真：
(408) 970-9950
HTTP ： //
www.filss.com
修改后：
2/01/02
电子邮件：
sales@filss.com
FILTRONIC [ FILTRONIC COMPOUND SEMICONDUCTORS ]
