初步数据表
FP4050
2-W
ATT
P
OWER
pHEMT制
•
特点
♦
48 dBm的IP3在2 GHz
♦
34 dBm的P- 1分贝在2 GHz
♦
14分贝功率增益在2 GHz
漏
焊盘
来源
焊盘
(2X)
•
说明与应用
门
焊盘
该FP4050是一个铝镓砷/铟镓砷（ AlGaAs构成/铟镓砷）
假晶高电子迁移率晶体管（ PHEMT ） ，利用电子束指示按
写0.50微米×400微米的肖特基势垒门。凹“蘑菇”栅结构最小化
寄生栅极 - 源极和栅极电阻。该FP4050特点氮化硅钝化。
典型的应用包括商用和军用高性能的功率放大器，包括
卫星通信上行链路发射器， PCS /蜂窝低压高效率输出放大器，以及
中程数字无线电发射机。此装置也适合作为功率级用于WLAN和
ISM频段的频谱扩展的应用程序。
•
电气规格@ T
环境
= 2 2 ± °C
3
参数
输出功率@
1 dB压缩
功率增益@
1 dB压缩
饱和漏源电流
最大漏源电流
跨
捏-O FF电压
栅极 - 漏极击穿
电压幅值
栅源击穿
电压幅值
栅源漏
电流幅值
热敏电阻
符号
P
1dB
G
1dB
I
DSS
I
最大
G
M
V
P
|V
BDGD
|
|V
BDGS
|
|I
GSL
|
Q
JC
测试条件
F = 2 GHz的; V
DS
= 8V ;我
DS
= 50% I
DSS
F = 2 GHz的; V
DS
= 8V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 2V; V
GS
= 0V
V
DS
= 2V; V
GS
= 1V
V
DS
= 2 V; V
GS
= 0 V
V
DS
= 2 V ;我
DS
= 10毫安
I
GS
= 20毫安
I
GS
= 20毫安
V
GS
= -5 V
15
12
12
950
民
典型值
34
14
1100
2200
880
-1.2
15
15
0.2
1300
最大
单位
DBM
dB
mA
mA
mS
V
V
V
mA
° C / W
电话：
(408) 988-1845
传真：
(408) 970-9950
HTTP ： //
www.filtronicsolidstate.com
修改后：
10/04/00
FILTRONIC [ FILTRONIC COMPOUND SEMICONDUCTORS ]
