初步数据表
2.2
FMS2001QFN
SPDT反光的pHEMT MMIC开关
描述
该FMS2001QFN是一个低损耗线性单刀双掷开关天线
设计用于在移动手持机应用程序使用。开关被设计为具有一个天线
端口可以被路由到的两个RF端口的任一种。
特点
•
•
•
•
•
•
•
低插入损耗（ 0.6分贝@ 900兆赫）
操作降到2V控制
2控制线。单正电压源
低谐波（典型值-70dBc在引脚= + 34.5dBm ）
高隔离度（30 dB的900兆赫）
低成本QFN 12铅3 * 3包
费尔多尼克先进的GaAs 0.5微米pHEMT技术
（在25℃ °， [ Vc的0 ， + 2.7V ] ， 50Ω系统， CW）
符号
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
1
0.5
IL
2
0.6
3
0.5
1
35
ISO
2
25
S11
1
-23
S11
2
-15
2fo
3
-70
3fo
3
-70
I
lkTx
3
2
I
lkRx
3
2
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dBc的
dBc的
µA
µA
电气特性
参数
插入损耗
隔离 -
RF - 蚂蚁上。
S11
S11
谐波
漏电流 - 得克萨斯州
漏电流 - 接收
条件
1
小信号， DC - 1GHz的，VC = 2.7V / 0V
2
小信号， 1-2千兆赫，VC = 2.7V / 0V
3
输入功率= 34.5dBm ， EGSM的Tx 880-915MHz ，VC = 2.7V / 0V
砷化镓MMIC的是ESD敏感的设备。特殊处理的预防措施是必需的。
真值表
手术
RF1-ANT
RF2-ANT
控制电压
V1
高
0
V2
0
高
控制级别
控制
高
低
典型值。
+2.7至+ 5.0V
0.0〜 + 0.2V
初步规格如有变更，恕不另行通知
费尔多尼克化合物半导体有限公司
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