FPD750SOT343
数据手册V3.0
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
阿婷
1
:
P
ARAMETER
漏源电压
栅源电压
漏 - 源电流
栅电流
RF输入功率
2
S
YMBOL
VDS
VGS
IDS
IG
针
总胆固醇
TSTG
4
P合计
比较。
3
T
美东时间
C
ONDITIONS
-3V < VGS < -0.5V
0V < VDS < + 6V
对于VDS < 2V
正向或反向电流
VDS = 3.3V
在任何可以接受的偏置状态
非工作存储
请参阅下面的降额注
在任何偏置条件
2个或更多最大值。范围
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
6V
-3V
IDSS
7.5mA
22dBm
175°C
-55 ° C至150℃
1.1W
5dB
80%
通道工作温度
储存温度
总功耗
增益压缩
限制同时结合
注意事项：
1
T
环境
= 22 ° C除非另有说明;超过这些绝对最大额定值的任何一个可能会导致
对设备造成永久性损坏
2
马克斯。 1 ： RF输入限制，如果必须输入VSWR > 2.5进一步限制
3
用户应避免超过80 ％的2个或更多同时限制
4
定义为总功耗：P
合计
≡
(P
DC
+ P
IN
) – P
OUT
,
其中，P
DC
：直流偏置电源，P
IN
： RF输入功率，P
OUT
：射频输出功率
总功耗要降额，符合上述22 ° C：
P
合计
= 1.1 - （ 1 / ΘJC ） x深
PACK
其中T
PACK
=源标签铅温度高于22°C &
θJC
= 143 ° C / W
B
IASING
G
UIDELINES
:
•
有源偏置电路提供良好的性能稳定性上运行的变化
温度，但是需要的组件相比，自偏压或双偏置的更大的数字。
这种电路应包括以下条款，以确保栅偏置漏偏前申请，
否则的pHEMT可被诱导以自振荡。请联系您的销售代表
附加信息。
双偏置电路实现起来比较简单，但需要调节的负电压
供应耗尽型器件。
对于标准的A类操作， IDSS偏置点的50％的建议。少量
在压缩之前的发作RF增益扩张是正常的，这个工作点。 A / B类
的25-33 ％偏置可为NF和OIP3优化的解决方案。
直流IV曲线FPD750SOT89
•
•
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
VG=-1.50
VG=-1.25V
VG=-1.00V
VG=-0.75V
VG=-0.50V
VG=-0.25V
VG=0V
注意：
对于推荐的方法
衡量我
DSS
或任何特定本人
DS
，是设置
漏极 - 源极电压（V
DS
） ，在1.3V 。这
测量点可避免的发作
寄生自激振荡通常会
歪曲的当前测量值（该效果具有
被过滤从显示的I- V曲线
以上） 。设置V
DS
> 1.3V一般会
在电流测量产生误差，
即使在稳定电路。
漏源电流（A ）
0.05
0.00
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
漏源极电压（ V）
2
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
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