TIP42 / TIP42A / TIP42B / TIP42C - PNP外延硅晶体管
电气特性
符号
V
首席执行官
( SUS)的
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
*集电极发射极耐受电压
: TIP42
: TIP42A
: TIP42B
: TIP42C
集电极截止电流
: TIP42 / 42A
: TIP42B / 42C
集电极截止电流
: TIP42
: TIP42A
: TIP42B
: TIP42C
发射极截止电流
*直流电流增益
*集电极 - 发射极饱和电压
*基射极饱和电压
电流增益带宽积
测试条件
I
C
= -30mA ,我
B
= 0
分钟。
-40
-60
-80
-100
马克斯。
单位
V
V
V
V
I
首席执行官
V
CE
= -30V ,我
B
= 0
V
CE
= -60V ,我
B
= 0
V
CE
= -40V, V
EB
= 0
V
CE
= -60V, V
EB
= 0
V
CE
= -80V, V
EB
= 0
V
CE
= -100V, V
EB
= 0
V
EB
= -5V ,我
C
= 0
V
CE
= -4V ,我
C
= -0.3A
V
CE
= -4V ,我
C
= -3A
I
C
= -6A ,我
B
= -600mA
V
CE
= -4V ,我
C
= -6A
V
CE
= -10V ,我
C
= -500mA ,
F = 1MHz的
3.0
30
15
-0.7
-0.7
-400
-400
-400
-400
-1
75
-1.5
-2.0
mA
mA
μA
μA
μA
μA
mA
I
CES
I
EBO
h
FE
V
CE
(SAT)
V
BE
(SAT)
f
T
V
V
兆赫
*脉冲测试: PW≤300μs ,职务Cycle≤2 %
©2009仙童半导体公司
TIP42 / TIP42A / TIP42B / TIP42C修订B0
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