TIP31 / TIP31A / TIP31B / TIP31C - NPN外延硅晶体管
典型特征
V
BE
(SAT) ,V
CE
(SAT) [毫伏] ,饱和电压
1000
10000
V
CE
= 4V
I
C
/I
B
= 10
h
FE
,直流电流增益
100
1000
V
BE
(SAT)
10
100
V
CE
(SAT)
1
1
10
100
1000
10000
10
1
10
100
1000
10000
I
C
[马] ,集电极电流
I
C
[马] ,集电极电流
图1.直流电流增益
图2.基射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
10
50
I
C
(MAX) (PULSE )
45
I
C
[A] ,集电极电流
I
C
(MAX) (DC)的
s
5m
s
1m
P
C
[W] ,功率耗散
100
μ
s
40
35
30
25
20
15
10
5
0
1
TIP31 V
首席执行官
马克斯。
TIP31A V
首席执行官
马克斯。
TIP31B V
首席执行官
马克斯。
TIP31C V
首席执行官
马克斯。
0.1
10
100
0
25
50
o
75
100
125
150
175
200
V
CE
[V] ,集电极 - 发射极电压
T
C
[C] ,外壳温度
图3.安全工作区
图4.功率降额
© 2008飞兆半导体公司
TIP31 / TIP31A / TIP31B / TIP31C版本A
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