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TIP107 参数 Datasheet PDF下载

TIP107图片预览
型号: TIP107
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内容描述: 整体结构与内置的基线发射器分流电阻器 [Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors]
分类和应用: 晶体电阻器晶体管局域网
文件页数/大小: 4 页 / 53 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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TIP105/106/107
典型特征
-5
10k
I
B
= -1000微安
I
B
= -800微安
I
B
= -700微安
V
CE
= -4V
I
C
[A] ,集电极电流
-4
I
B
= -900微安
-3
I
B
= -500微安
I
B
= -400微安
h
FE
,直流电流增益
I
B
= -600微安
1k
-2
I
B
= -300微安
-1
I
B
= -200微安
-0
-0
-1
-2
-3
-4
-5
100
-0.1
-1
-10
V
CE
[V] ,集电极 - 发射极电压
IC [ A] ,集电极电流
图1.静态特性
图2.直流电流增益
V
BE
(SAT) ,V
CE
(饱和) [ V]时,饱和电压
-100k
10k
I
C
= 500 I
B
F = 0.1 MHz的
I
E
= 0
-10k
C
ob
[ pF的] ,电容
-10
-100
1k
100
V
BE
(SAT)
-1k
V
CE
(SAT)
10
-100
-0.1
-1
1
-0.1
-1
-10
-100
I
C
[A] ,集电极电流
V
CB
[V] ,集电极 - 基极电压
图3.集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
图4.集电极输出电容
-100
100
90
I
C
[马] ,集电极电流
1ms
-10
P
C
[W] ,功率耗散
80
70
60
50
40
30
20
10
0
10
0
µ
DC
s
5m
-1
s
-0.1
TIP105
TIP106
TIP107
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
0
25
50
o
75
100
125
150
175
V
CE
[V] ,集电极 - 发射极电压
T
C
[C] ,外壳温度
图5.安全工作区
图6.功率降额
©2001仙童半导体公司
牧师A1 , 2001年6月