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TIP102 参数 Datasheet PDF下载

TIP102图片预览
型号: TIP102
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内容描述: 整体结构与内置的基线发射器分流电阻器 [Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors]
分类和应用: 电阻器
文件页数/大小: 4 页 / 54 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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TIP100/101/102
TIP100/101/102
整体结构与内置的基线
发射极分流电阻
高直流电流增益:H
FE
=1000 @ V
CE
= 4V ,我
C
= 3A (最小值)
集电极 - 发射极电压维持
低集电极 - 发射极饱和电压
工业用
为了配合TIP105 / 107分之106
1
TO-220
2.Collector
3.Emitter
1.Base
NPN外延硅达林顿晶体管
绝对最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
参数
集电极 - 基极电压
: TIP100
: TIP101
: TIP102
价值
60
80
100
60
80
100
5
8
15
1
2
80
150
- 65 ~ 150
单位
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
R1
R2
E
等效电路
C
B
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压: TIP100
: TIP101
: TIP102
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
集电极电流(脉冲)
基极电流(DC)的
集电极耗散(T
a
=25°C)
集电极耗散(T
C
=25°C)
结温
储存温度
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
T
J
T
英镑
R
1
10
k
R
2
0.6
k
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
首席执行官
( SUS)的
参数
集电极 - 发射极电压维持
: TIP100
: TIP101
: TIP102
集电极截止电流
: TIP100
: TIP101
: TIP102
I
CBO
集电极截止电流
: TIP100
: TIP101
: TIP102
I
EBO
h
FE
V
CE
(SAT)
V
BE
(上)
C
ob
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
输出电容
V
CE
= 60V ,我
E
= 0
V
CE
= 80V ,我
E
= 0
V
CE
= 100V ,我
E
= 0
V
EB
= 5V ,我
C
= 0
V
CE
= 4V ,我
C
= 3A
V
CE
= 4V ,我
C
= 8A
I
C
= 3A ,我
B
= 6毫安
I
C
= 8A ,我
B
= 80毫安
V
CE
= 4V ,我
C
= 8A
V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f =为0.1MHz
1000
200
50
50
50
2
20000
2
2.5
2.8
200
V
V
V
pF
µA
µA
µA
mA
V
CE
= 30V ,我
B
= 0
V
CE
= 40V ,我
B
= 0
V
CE
= 50V ,我
B
= 0
50
50
50
µA
µA
µA
测试条件
I
C
= 30mA时我
B
= 0
分钟。
60
80
100
马克斯。
单位
V
V
V
I
首席执行官
©2001仙童半导体公司
牧师A1 , 2001年6月