Si9410DY
1999年9月
Si9410DY*
单N沟道增强型MOSFET
概述
这种N沟道增强型MOSFET是
利用飞兆半导体提前生产
已特别针对减少流程
通态电阻,但保持出色的开关
性能。
这个装置是非常适用于低电压和电池
供电应用的低线的功率损耗和
快速切换是必需的。
特点
7.0 A, 30 V ř
DS ( ON)
= 0.030
Ω
@ V
GS
= 10 V
R
DS ( ON)
= 0.050
Ω
@ V
GS
= 4.5 V
低栅极电荷。
快速开关速度。
高功率和电流处理能力。
应用
电池开关
负荷开关
电机控制
SO-8
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©1999
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
Si9410DY版本C