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    SI4435DY 参数 Datasheet PDF下载

    SI4435DY图片预览
    型号： SI4435DY
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 30V P沟道PowerTrench MOSFET [30V P-Channel PowerTrench MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 5 页 / 93 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号SI4435DY的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SI4435DY的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SI4435DY的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SI4435DY的Datasheet PDF文件第5页  
    SI4435DY
    典型特征
    50
    V
    GS
    = -10V
    40
    -6.0V
    R
    DS （ ON）
    归一化
    漏源导通电阻
    -4.5V
    V
    2
    V
    GS
    =-4.5V
    -4.0V
    1.8
    1.6
    -4.5V
    1.4
    1.2
    -5.0V
    -6.0V
    -7.0V
    -8.0V
    1
    0.8
    0
    1
    2
    3
    0
    10
    20
    30
    40
    50
    -V
    DS
    ，漏源极电压（ V）
    -I
    D
    ，漏电流（ A）
    -10V
    -I
    D
    ，漏电流（ A）
    30
    -3.5V
    20
    -3.0V
    10
    0
    图1.区域特征。
    图2.导通电阻变化与
    漏电流和栅极电压。
    0.07
    R
    DS （ ON）
    导通电阻（ OHM ）
    ,
    1.6
    R
    DS （ ON）
    归
    ,
    漏源导通电阻
    I
    D
    = -8.8A
    V
    GS
    = -10V
    1.4
    I
    D
    = -4.4A
    0.06
    0.05
    1.2
    0.04
    T
    A
    = 125
    o
    C
    0.03
    0.02
    T
    A
    = 25
    o
    C
    0.01
    2
    4
    6
    8
    10
    1
    0.8
    0.6
    -50
    -25
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    (
    o
    C)
    150
    175
    T
    J
    ，结温
    -V
    GS
    ，门源电压（ V）
    图3.导通电阻变化与
    温度。
    40
    25
    o
    C
    -I
    S
    ，反向漏电流（ A）
    V
    DS
    = -5V
    -I
    D
    ，漏电流（ A）
    30
    125
    o
    C
    T
    A
    = -55
    o
    C
    图4.导通电阻变化与
    栅极 - 源极电压。
    100
    V
    GS
    =0V
    10
    T
    A
    = 125
    o
    C
    1
    25
    o
    C
    0.1
    -55
    o
    C
    0.01
    20
    10
    0.001
    0
    1.5
    2
    2.5
    3
    3.5
    4
    -V
    GS
    ，门源电压（ V）
    0.0001
    0
    0.2
    0.4
    0.6
    0.8
    1
    1.2
    -V
    SD
    ，体二极管正向电压（ V）
    图5.传输特性。
    图6.体二极管正向电压的变化
    与源电流和温度。
    SI4435DY版本D1 （ W）

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