Si4420DY
2000年1月
Si4420DY*
单N沟道逻辑电平的PowerTrench
®
MOSFET
概述
这N沟道逻辑电平MOSFET采用生产
飞兆半导体的PowerTrench先进工艺
已特别针对减少通态
性，但保持出色的开关
性能。
这个装置是非常适用于低电压和电池
供电应用的低线的功率损耗和
快速切换是必需的。
特点
12.5 A， 30 V ř
DS （ ON）
= 0.009
W
@ V
GS
= 10 V
R
DS （ ON）
= 0.013
W
@ V
GS
= 4.5 V
低栅极电荷。
快速开关速度。
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
.
高功率和电流处理能力。
应用
电池开关
负荷开关
电机控制
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ã1999
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
Si4420DY版本B
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
