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    NDS9953A 参数 Datasheet PDF下载

    NDS9953A图片预览
    型号： NDS9953A
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 双P沟道增强型场效应晶体管 [Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
    文件页数/大小： 10 页 / 343 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号NDS9953A的Datasheet PDF文件第1页浏览型号NDS9953A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NDS9953A的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NDS9953A的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NDS9953A的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NDS9953A的Datasheet PDF文件第7页浏览型号NDS9953A的Datasheet PDF文件第8页浏览型号NDS9953A的Datasheet PDF文件第9页  
    典型电气特性
    -20
    V
    GS
    = -10V
    ，漏源电流（A ）
    -15
    3
    -8.0
    漏源导通电阻
    -7.0
    R
    DS （ ON）
    归一化
    V
    GS
    = -3.5V
    2.5
    -4.0
    -4.5
    -5.0
    -6.0
    -5.5
    -5.0
    2
    -5.5
    -6.0
    -10
    -4.5
    -4.0
    -5
    1.5
    -3.5
    -3.0
    1
    -7.0
    -8.0
    -10
    I
    0
    D
    0
    -1
    V
    DS
    -2
    -3
    ，漏源电压（V ）
    -4
    -5
    0.5
    0
    -3
    -6
    -9
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    -12
    -15
    图1.区域特征。
    图2.导通电阻变化与门
    电压和漏电流。
    1.6
    2
    漏源导通电阻
    1.4
    R
    DS （ ON）
    归一化
    V
    的s
    = -10V
    R
    DS （ ON）
    归一化
    漏源导通电阻
    I
    D
    = -2.9A
    V
    GS
    = -10V
    TJ = 125°C
    1.5
    1.2
    1
    25°C
    1
    0.8
    -55°C
    0.6
    -50
    -25
    0
    25
    50
    75
    100
    T
    J
    ，结温（ ° C）
    125
    150
    0.5
    0
    -3
    -6
    -9
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    -12
    -15
    图3.导通电阻变化与
    温度。
    图4.导通电阻变化与漏
    电流和温度。
    -10
    门源阈值电压
    1.2
    V
    DS
    = -10V
    -8
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    TJ = -55°C
    25°C
    125°C
    V
    th
    归一化
    1.1
    V
    DS
    = V
    GS
    I
    D
    = -250µA
    -6
    1
    -4
    0.9
    -2
    0.8
    0
    -1
    -2
    -3
    -4
    -5
    V
    GS
    ，门源电压（ V）
    -6
    0.7
    -50
    -25
    0
    25
    50
    75
    100
    T
    J
    ，结温（ ° C）
    125
    150
    图5.传输特性。
    图6.门阈值变化与
    温度。
    NDS9953A.SAM

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