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    NDS9410A 参数 Datasheet PDF下载

    NDS9410A图片预览
    型号： NDS9410A
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 单N沟道增强型场效应晶体管 [Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
    文件页数/大小： 8 页 / 232 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号NDS9410A的Datasheet PDF文件第1页浏览型号NDS9410A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NDS9410A的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NDS9410A的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NDS9410A的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NDS9410A的Datasheet PDF文件第7页浏览型号NDS9410A的Datasheet PDF文件第8页  
    NDS9410A
    典型特征
    10
    I
    D
    = 7.3A
    8
    V
    DS
    = 5V
    10V
    15V
    1500
    F = 1MHz的
    V
    GS
    = 0 V
    1200
    C
    国际空间站
    6
    900
    4
    600
    C
    OSS
    C
    RSS
    2
    300
    0
    0
    3
    6
    9
    12
    15
    0
    0
    5
    10
    15
    20
    25
    30
    Q
    g
    ，栅极电荷（ NC）
    V
    DS
    ，漏源极电压（ V）
    图7.栅极电荷特性。
    100
    R
    DS （ ON）
    极限
    10
    1ms
    10ms
    100ms
    1s
    10s
    DC
    V
    GS
    = 10V
    单脉冲
    0.01
    R
    θ
    JA
    = 125℃ / W
    T
    A
    = 25 C
    0.001
    0.1
    1
    10
    100
    0
    o
    o
    图8.电容特性。
    50
    100
    µ
    s
    40
    单脉冲
    R
    θ
    JA
    = 125℃ / W
    T
    A
    = 25 C
    30
    o
    o
    1
    0.1
    20
    10
    0.001
    0.01
    0.1
    1
    10
    100
    V
    DS
    ，漏源电压（V ）
    t
    1
    ，时间（秒）
    图9.最高安全工作区。
    图10.单脉冲最大
    功耗。
    1
    D = 0.5
    0.2
    0.1
    0.05
    0.02
    0.01
    0.01
    单脉冲
    R
    θ
    JA
    （吨） = R（T） + R
    θ
    JA
    R
    θ
    JA
    = 125℃ / W
    P（ PK）
    t
    1
    t
    2
    T
    J
    - T
    A
    = P * R
    θ
    JA
    (t)
    占空比D = T
    1
    / t
    2
    0.1
    t
    1
    ，时间（秒）
    1
    10
    100
    1000
    0.1
    0.001
    0.0001
    0.001
    0.01
    图11.瞬态热响应曲线。
    热特性进行使用注1c中所述的条件。
    瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
    NDS9410A版本B （ W）

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