1996年9月
NDS356AP
P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
概述
SuperSOT
TM
-3
P沟道逻辑电平增强模式
功率场效应晶体管都采用飞兆半导体生产的
专有的,高密度, DMOS技术。这种非常高
密度工艺特别适合于减小导通状态
性。这些装置特别适用于低电压
应用,如笔记本计算机的电源管理,
便携式电子设备,以及其它电池供电的电路,其中
快高侧开关和低线的功率损耗
是
需要在一个非常小外形表面安装封装。
特点
-1.1 A, -30 V ,R
DS ( ON)
= 0.3
Ω
@ V
GS
=-4.5 V
R
DS ( ON)
= 0.2
Ω
@ V
GS
=-10 V.
行业标准外形SOT- 23表面贴装封装
使用专有SuperSOT
TM
-3设计卓越
热和电性能。
高密度电池设计极低R
DS ( ON)
.
呈导通电阻和最大直流电流
能力。
________________________________________________________________________________
D
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
,T
英镑
参数
漏源电压
T
A
= 25 ° C除非另有说明
NDS356AP
-30
±20
(注1A )
单位
V
V
A
栅源电压 - 连续
最大漏极电流 - 连续
- 脉冲
最大功率耗散
(注1A )
(注1B )
±1.1
±10
0.5
0.46
-55到150
W
工作和存储温度范围
°C
热特性
R
θ
JA
R
θ
JC
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
(注1A )
(注1 )
250
75
° C / W
° C / W
©1997仙童半导体公司
NDS356AP Rev.C
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