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型号: NDS352AP
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内容描述: P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 [P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
文件页数/大小: 6 页 / 81 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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1997年2月
NDS352AP
P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
概述
这些P -Channel逻辑电平增强型功率场
场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的,
高密度, DMOS技术。这非常高的密度
过程特别是针对减少通态电阻。
这些器件特别适用于低电压应用
诸如笔记本电脑的电源管理,便携式
电子,和其它电池供电的电路中快速
高侧开关和低线的功率损耗,需要在
非常小外形表面贴装封装。
特点
-0.9 A, -30 V. ř
DS ( ON)
= 0.5
@ V
GS
= -4.5 V
R
DS ( ON)
= 0.3
@ V
GS
= -10 V.
行业标准外形SOT- 23表面贴装封装
使用专有SuperSOT
TM
-3设计卓越的热
和电气性能。
高密度电池设计极低R
DS ( ON)
.
呈导通电阻和最大直流电流
能力。
________________________________________________________________________________
D
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
参数
漏源电压
T
A
= 25 ° C除非另有说明
NDS352AP
-30
±20
(注1A )
单位
V
V
A
栅源电压 - 连续
最大漏极电流 - 连续
- 脉冲
±0.9
±10
P
D
T
J
,T
英镑
最大功率耗散
(注1A )
(注1B )
0.5
0.46
-55到150
W
工作和存储温度范围
°C
热特性
R
θ
JA
R
θ
JC
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
(注1A )
(注1 )
250
75
° C / W
° C / W
©1997仙童半导体公司
NDS352AP Rev.D