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    NDS352AP_NL 参数 Datasheet PDF下载

    NDS352AP_NL图片预览
    型号： NDS352AP_NL
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [Small Signal Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-3]
    分类和应用： 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
    文件页数/大小： 6 页 / 81 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号NDS352AP_NL的Datasheet PDF文件第1页浏览型号NDS352AP_NL的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NDS352AP_NL的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NDS352AP_NL的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NDS352AP_NL的Datasheet PDF文件第6页  
    电气特性
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有说明）
    符号
    参数
    条件
    民
    典型值
    最大
    单位
    开关特性
    BV
    DSS
    I
    DSS
    漏源击穿电压
    零栅极电压漏极电流
    V
    GS
    = 0 V，I
    D
    = -250 µA
    V
    DS
    = -24 V, V
    GS
    = 0 V
    T
    J
    =125°C
    I
    GSSF
    I
    GSSR
    门 - 体泄漏，正向
    门 - 体泄漏，反向
    V
    GS
    = 20 V, V
    DS
    = 0 V
    V
    GS
    = -20 V, V
    DS
    = 0 V
    -30
    -1
    -10
    100
    -100
    V
    µA
    µA
    nA
    nA
    基本特征
    （注2 ）
    V
    GS （ TH）
    R
    DS （ ON）
    栅极阈值电压
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = -250 µA
    T
    J
    =125°C
    静态漏源导通电阻
    V
    GS
    = -4.5 V，I
    D
    = -0.9 A
    T
    J
    =125°C
    V
    GS
    = -10 V，I
    D
    = -1 A
    I
    D（上）
    g
    FS
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    通态漏电流
    V
    GS
    = -4.5 V, V
    DS
    = -5 V
    V
    DS
    = -5 V，I
    D
    = -0.9 A
    V
    DS
    = -15 V, V
    GS
    = 0 V,
    F = 1.0 MHz的
    -2
    1.9
    -0.8
    -0.5
    -1.7
    -1.4
    0.45
    0.65
    0.25
    -2.5
    -2.2
    0.5
    0.7
    0.3
    A
    S
    V
    Ω
    正向跨导
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    动态特性
    135
    88
    40
    pF
    pF
    pF
    开关特性
    （注2 ）
    打开 - 延迟时间
    打开 - 上升时间
    打开 - 关闭延迟时间
    打开 - 关闭下降时间
    打开 - 延迟时间
    打开 - 上升时间
    打开 - 关闭延迟时间
    打开 - 关闭下降时间
    总栅极电荷
    栅极 - 源电荷
    栅极 - 漏极电荷
    V
    DS
    = -10 V，I
    D
    = -0.9 A,
    V
    GS
    = -4.5 V
    V
    DD
    = -10 V，I
    D
    = -1 A,
    V
    GS
    = -10 V ，R
    根
    = 50
    Ω
    V
    DD
    = -6 V，I
    D
    = -1 A,
    V
    GS
    = -4.5 V ，R
    根
    = 6
    Ω
    5
    17
    35
    30
    10
    30
    70
    60
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    nC
    nC
    nC
    8
    16
    35
    30
    2
    0.5
    1
    15
    30
    90
    90
    3
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    NDS352AP Rev.D

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