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MPSA42 参数 Datasheet PDF下载

MPSA42图片预览
型号: MPSA42
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内容描述: NPN高电压放大器 [NPN High Voltage Amplifier]
分类和应用: 晶体放大器晶体管IOT
文件页数/大小: 14 页 / 657 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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MPSA42 / MMBTA42 / PZTA42
NPN高电压放大器
(续)
电气特性
符号
参数
TA = 25° C除非另有说明
测试条件
最大
单位
开关特性
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
集电极 - 发射极击穿电压*
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
I
C
= 1.0毫安,我
B
= 0
I
C
= 100
µA,
I
E
= 0
I
E
= 100
µA,
I
C
= 0
V
CB
= 200 V,I
E
= 0
V
EB
= 6.0 V,I
C
= 0
300
300
6.0
0.1
0.1
V
V
V
µA
µA
基本特征*
h
FE
直流电流增益
I
C
= 1.0毫安, V
CE
= 10 V
I
C
= 10 mA时, V
CE
= 10 V
I
C
= 30 mA时, V
CE
= 10 V
I
C
= 20 mA时,我
B
= 2.0毫安
I
C
= 20 mA时,我
B
= 2.0毫安
25
40
40
0.5
0.9
V
V
V
CE(
SAT
)
V
BE (
SAT
)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
小信号特性
f
T
C
cb
电流增益 - 带宽积
集电极 - 基极电容
I
C
= 10 mA时, V
CE
= 20 V,
F = 100 MHz的
V
CB
= 20 V,I
E
= 0中,f = 1.0兆赫
50
3.0
兆赫
pF
*
脉冲测试:脉冲宽度
300
µs,
占空比
2.0%
SPICE模型
NPN ( IS = 34.9f XTI = 3 =例如1.11 VAF = 100 BF = 2.65K NE = 1.708伊势= 16.32p IKF = 23.79米XTB = 1.5 BR = 9.769 NC = 2
ISC = 0 Ikr的= 0 RC = 7 CJC = 14.23p建超= 0.5489 VJC = 0.75 FC = 0.5 CJE = 49.62p MJE = 0.4136 VJE = 0.75 TR表示934.3p铁蛋白= 1.69n
ITF = 5 VTF = 20 XTF = 150的Rb = 10 )
典型特征
直流电流增益
VS集电极电流
h
FE
- 直流电流增益
140
120
100
25 °C
125 °C
V
CESAT
- 集电极 - 发射极电压( V)
集电极 - 发射极饱和
电压Vs集电极电流
0.3
0.25
0.2
125 °C
β
= 10
80
60
40
20
0.1
I
C
- 40 ºC
0.15
25 °C
0.1
0.05
0.1
- 40 ºC
V
CE
= 5V
1
10
- 集电极电流(毫安)
100
1
10
I
C
- 集电极电流(毫安)
P
100