FFB3904 / FMB3904 / MMPQ3904
NPN多芯片通用放大器
（续）
电气特性
符号
参数
T
A
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
民
典型值
最大单位
开关特性
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
BL
I
CEX
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
基地截止电流
收藏家Cuto FF电流
I
C
= 1.0毫安，我
B
= 0
I
C
= 10
µA,
I
E
= 0
I
E
= 10
µA,
I
C
= 0
V
CE
= 30 V, V
EB
= 0
V
CE
= 30 V, V
EB
= 0
40
60
6.0
50
50
V
V
V
nA
nA
基本特征*
h
FE
直流电流增益
I
C
= 0.1毫安， V
CE
= 1.0 V
I
C
= 1.0毫安， V
CE
= 1.0 V
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 1.0 V
I
C
= 50 mA时， V
CE
= 1.0 V
I
C
= 100毫安， V
CE
= 1.0 V
I
C
= 10 mA时，我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50 mA时，我
B
= 5.0毫安
I
C
= 10 mA时，我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50 mA时，我
B
= 5.0毫安
40
70
100
60
30
300
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
0.65
0.2
0.3
0.85
0.95
V
V
V
V
小信号特性
f
T
C
敖包
C
IBO
NF
电流增益 - 带宽积
输出电容
输入电容
噪声系数
（ MMPQ3904除外）
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 20 V,
F = 100 MHz的
V
CB
= 5.0 V，I
E
= 0,
F = 1.0 MHz的
V
EB
= 0.5 V，I
C
= 0,
F = 1.0 MHz的
I
C
= 100
µA,
V
CE
= 5.0 V,
R
S
= 1.0kΩ ， F = 10 Hz至15.7千赫
450
2.5
6.0
2.0
兆赫
pF
pF
dB
开关特性
t
d
t
r
t
s
t
f
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
V
CC
= 3.0 V, V
BE
= 0.5 V,
I
C
= 10 mA时，我
B1
= 1.0毫安
V
CC
= 3.0 V，I
C
= 10毫安
I
B1
= I
B2
= 1.0毫安
18
20
150
25
ns
ns
ns
ns
*
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
µs,
占空比
≤
2.0%
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
