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MMPQ2907A 参数 Datasheet PDF下载

MMPQ2907A图片预览
型号: MMPQ2907A
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内容描述: PNP多芯片通用放大器 [PNP Multi-Chip General Purpose Amplifier]
分类和应用: 晶体放大器晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 5 页 / 65 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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FFB2907A / FMBT2907A / MMPQ2907A
PNP多芯片通用放大器
(续)
电气特性
符号
参数
T
A
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
典型值
最大单位
开关特性
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
I
B
I
CEX
I
CBO
集电极 - 发射极击穿
电压*
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
基地截止电流
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
I
C
= 10 mA时,我
B
= 0
I
C
= 10
µA,
I
E
= 0
I
E
= 10
µA,
I
C
= 0
V
CB
= 30 V, V
EB
= 0.5 V
V
CE
= 30 V, V
BE
= 0.5 V
V
CB
= 50 V,I
E
= 0
V
CB
= 50 V,I
E
= 0, T
A
= 125°C
60
60
5.0
50
50
0.02
20
V
V
V
nA
nA
µA
µA
基本特征
h
FE
直流电流增益
I
C
= 0.1毫安, V
CE
= 10 V
I
C
= 1.0毫安, V
CE
= 10 V
I
C
= 10 mA时, V
CE
= 10 V
I
C
= 150毫安, V
CE
= 10 V*
I
C
= 500毫安, V
CE
= 10 V*
I
C
= 150毫安,我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安,我
B
= 50毫安
I
C
= 150毫安,我
B
= 15毫安*
I
C
= 500毫安,我
B
= 50毫安
75
100
100
100
50
300
0.4
1.6
1.3
2.6
V
V
V
V
V
CE(
SAT
)
V
BE (
SAT
)
集电极 - 发射极饱和电压*
基射极饱和电压
小信号特性
f
T
C
敖包
C
IBO
电流增益 - 带宽积
输出电容
输入电容
I
C
= 50 mA时, V
CE
= 20 V,
F = 100 MHz的
V
CB
= 10 V,I
E
= 0,
F = 100千赫
V
EB
= 2.0 V,I
C
= 0,
F = 100千赫
250
6.0
12
兆赫
pF
pF
开关特性
t
on
t
d
t
r
t
关闭
t
s
t
f
开启时间
延迟时间
上升时间
打开-O FF时间
贮存时间
下降时间
V
CC
= 6.0 V,I
C
= 150毫安
I
B1
= I
B2
= 15毫安
V
CC
= 30 V,I
C
= 150毫安,
I
B1
= 15毫安
30
8.0
20
80
60
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
*
脉冲测试:脉冲宽度
300
µs,
占空比
2.0%