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    MMPQ2222A 参数 Datasheet PDF下载

    MMPQ2222A图片预览
    型号： MMPQ2222A
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN多芯片通用放大器 [NPN Multi-Chip General Purpose Amplifier]
    分类和应用： 晶体放大器小信号双极晶体管开关光电二极管
    文件页数/大小： 5 页 / 64 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号MMPQ2222A的Datasheet PDF文件第1页浏览型号MMPQ2222A的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MMPQ2222A的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MMPQ2222A的Datasheet PDF文件第5页  
    FFB2222A / FMB2222A / MMPQ2222A
    NPN多芯片通用放大器
    （续）
    电气特性
    符号
    参数
    T
    A
    = 25 ° C除非另有说明
    测试条件
    民
    典型值
    最大单位
    开关特性
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CEX
    I
    CBO
    I
    EBO
    I
    BL
    集电极 - 发射极击穿
    电压*
    集电极 - 基极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    收藏家Cuto FF电流
    收藏家Cuto FF电流
    发射Cuto FF电流
    基地截止电流
    I
    C
    = 10 mA时，我
    B
    = 0
    I
    C
    = 10
    µA,
    I
    E
    = 0
    I
    E
    = 10
    µA,
    I
    C
    = 0
    V
    CE
    = 60 V, V
    EB （O FF ）
    = 3.0 V
    V
    CB
    = 60 V，I
    E
    = 0
    V
    CB
    = 60 V，I
    E
    = 0, T
    A
    = 125°C
    V
    EB
    = 3.0 V，I
    C
    = 0
    V
    CE
    = 60 V, V
    EB （O FF ）
    = 3.0 V
    40
    75
    6.0
    10
    0.01
    10
    10
    20
    V
    V
    V
    nA
    µA
    µA
    nA
    nA
    基本特征
    h
    FE
    直流电流增益
    I
    C
    = 0.1毫安， V
    CE
    = 10 V
    I
    C
    = 1.0毫安， V
    CE
    = 10 V
    I
    C
    = 10 mA时， V
    CE
    = 10 V
    I
    C
    = 10 mA时， V
    CE
    = 10 V ，T
    A
    = -55°C
    I
    C
    = 150毫安， V
    CE
    = 10 V*
    I
    C
    = 150毫安， V
    CE
    = 1.0 V*
    I
    C
    = 500毫安， V
    CE
    = 10 V*
    I
    C
    = 150毫安，我
    B
    = 15毫安
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    = 50毫安
    I
    C
    = 150毫安，我
    B
    = 1.0毫安
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    = 50毫安
    35
    50
    75
    35
    100
    50
    40
    300
    V
    CE（
    SAT
    )
    V
    BE （
    SAT
    )
    集电极 - 发射极饱和电压*
    基射极饱和电压*
    0.6
    0.3
    1.0
    1.2
    2.0
    V
    V
    V
    V
    小信号特性
    f
    T
    C
    敖包
    C
    IBO
    NF
    电流增益 - 带宽积
    输出电容
    输入电容
    噪声系数
    I
    C
    能力= 20 mA ，V
    CE
    = 20 V,
    F = 100 MHz的
    V
    CB
    = 10 V，I
    E
    = 0中，f = 100千赫
    V
    EB
    = 0.5 V，I
    C
    = 0中，f = 100千赫
    I
    C
    = 100
    µA,
    V
    CE
    = 10 V,
    R
    S
    = 1.0千欧， F = 1.0千赫
    300
    4.0
    20
    2.0
    兆赫
    pF
    pF
    dB
    开关特性
    t
    d
    t
    r
    t
    s
    t
    f
    延迟时间
    上升时间
    贮存时间
    下降时间
    V
    CC
    = 30 V, V
    BE （OFF）的
    = 0.5 V,
    I
    C
    = 150毫安，我
    B1
    = 15毫安
    V
    CC
    = 30 V，I
    C
    = 150毫安，
    I
    B1
    = I
    B2
    = 15毫安
    8
    20
    180
    40
    ns
    ns
    ns
    ns
    *
    脉冲测试：脉冲宽度
    ≤
    300
    µs,
    占空比
    ≤
    2.0%

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