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MMBT5551 参数 Datasheet PDF下载

MMBT5551图片预览
型号: MMBT5551
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内容描述: NPN通用放大器 [NPN General Purpose Amplifier]
分类和应用: 晶体放大器晶体管光电二极管
文件页数/大小: 5 页 / 208 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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2N5551- MMBT5551 NPN通用放大器
电气特性
符号
开关特性
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
T
a
= 25 ° C除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压*
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
测试条件
I
C
= 1.0毫安,我
B
= 0
I
C
= 100μA ,我
E
= 0
I
E
=为10uA ,我
C
= 0
V
CB
= 120V ,我
E
= 0
V
CB
= 120V ,我
E
= 0, T
a
= 100°C
V
EB
= 4.0V ,我
C
= 0
I
C
= 1.0毫安,V
CE
= 5.0V
I
C
= 10毫安,V
CE
= 5.0V
I
C
= 50mA时V
CE
= 5.0V
I
C
= 10毫安,我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50mA时我
B
= 5.0毫安
I
C
= 10毫安,我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50mA时我
B
= 5.0毫安
I
C
= 10毫安,V
CE
= 10V,
F = 100MHz的
V
CB
= 10V ,我
E
= 0 , F = 1.0MHz的
V
BE
= 0.5V ,我
C
= 0 , F = 1.0MHz的
I
C
= 1.0毫安, V
CE
= 10 V , F = 1.0kHz
I
C
= 250微安,V
CE
= 5.0 V,
R
S
= 1.0千欧, F = 10 Hz至15.7千赫
分钟。
160
180
6.0
马克斯。
单位
V
V
V
50
50
50
nA
µA
nA
基本特征
直流电流增益
80
80
30
250
0.15
0.20
1.0
1.0
V
V
V
V
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
小信号特性
f
T
C
敖包
C
IBO
H
fe
NF
电流增益带宽积
输出电容
输入电容
小信号电流增益
噪声系数
100
300
6.0
20
50
250
8.0
dB
兆赫
pF
pF
SPICE模型
NPN ( IS = 2.511f XTI = 3 =例如1.11 VAF = 100 BF = 242.6 NE = 1.249伊势= 2.511f IKF = 0.3458 XTB = 1.5 BR = 3.197 NC = 2的Isc = 0 Ikr的= 0 RC = 1
CJC = 4.883p建超= 0.3047 VJC = 0.75 FC = 0.5 CJE = 18.79p MJE = 0.3416 VJE = 0.75 TR表示1.202n铁蛋白= 560P ITF = 50米VTF = 5 XTF = 8的Rb = 10 )
2
2N5551- MMBT5551版本B
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