MMBT5550 NPN通用放大器
2005年8月
MMBT5550
NPN通用放大器
•本设备是专为通用高电压放大器
和气体放电的显示驱动程序。
3
2
SOT-23
1
标记： 1F
1.底座2.辐射源3.收藏家
绝对最大额定值*
T
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
注意事项：
a
= 25 ° C除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
结温和存储温度
- 连续
价值
140
160
6.0
600
-55 ~ +150
单位
V
V
V
mA
°C
*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
1.这些额定值是基于对150度C的最高结温
2.这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
电气特性
符号
开关特性
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
T
a
= 25 ° C除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压*
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
测试条件
I
C
= 1.0毫安，我
B
= 0
I
C
= 100μA ，我
E
= 0
I
E
= 10毫安，我
C
= 0
V
CB
= 100V ，我
E
= 0
V
CB
= 100V ，我
E
= 0, T
a
= 100°C
V
EB
= 4.0V ，我
C
= 0
I
C
= 1.0毫安，V
CE
= 5.0V
I
C
= 10毫安，V
CE
= 5.0V
I
C
= 50mA时V
CE
= 5.0V
I
C
= 10毫安，我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50mA时我
B
= 5.0毫安
I
C
= 10毫安，我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50mA时我
B
= 5.0毫安
分钟。
140
160
6.0
马克斯。
单位
V
V
V
100
100
50
nA
µA
nA
基本特征
直流电流增益
60
60
20
250
0.15
0.25
1.0
1.2
V
V
V
V
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
©2005仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
MMBT5550版本A
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
