2N3906 / MMBT3906 / PZT3906 - PNP通用放大器
电气特性
值是在T
A
= 25_C除非另有说明。
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
BL
I
CEX
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
(4)
发射极 - 基极击穿电压
基地截止电流
收藏家Cuto FF电流
测试条件
I
C
= -1.0毫安，我
B
= 0
I
E
= -10
μA,
I
C
= 0
V
CE
= -30 V, V
BE
= 3.0 V
V
CE
= -30 V, V
BE
= 3.0 V
I
C
= -0.1毫安，V
CE
= -1.0 V
I
C
= -1.0毫安，V
CE
= -1.0 V
分钟。
-40
-40
-5.0
马克斯。
单位
V
V
V
开关特性
集电极 - 基极击穿电压余
C
= -10
μA,
I
E
= 0
-50
-50
60
80
100
60
30
-0.25
-0.4
-0.65
-0.85
-0.95
300
nA
nA
基本特征
h
FE
直流电流
收益
(4)
I
C
= -10毫安，V
CE
= -1.0 V
I
C
= -50毫安，V
CE
= -1.0 V
I
C
= -100毫安，V
CE
= -1.0V
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
集电极 - 发射极饱和电压
AGE
基射极饱和电压
I
C
= -10毫安，我
B
= -1.0毫安
I
C
= -50毫安，我
B
= -5.0毫安
I
C
= -10毫安，我
B
= -1.0毫安
I
C
= -50毫安，我
B
= -5.0毫安
I
C
= -10毫安，V
CE
= -20 V,
F = 100 MHz的
V
CB
= -5.0 V，I
E
= 0,
F = 100千赫
V
EB
= -0.5 V，I
C
= 0,
F = 100千赫
I
C
= -100
μA,
V
CE
= -5.0 V,
R
S
= 1.0 kΩ,
F = 10 Hz至15.7千赫
V
CC
= -3.0 V, V
BE
= -0.5 V
I
C
= -10毫安，我
B1
= -1.0毫安
V
CC
= -3.0 V，I
C
= -10毫安，
I
B1
= I
B2
= -1.0毫安
V
V
V
V
小信号特性
f
T
C
敖包
C
IBO
NF
电流增益 - 带宽积
输出电容
输入电容
噪声系数
250
4.5
10.0
4.0
兆赫
pF
pF
dB
开关特性
t
d
t
r
t
s
t
f
注意：
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2.0%.
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
35
35
225
75
ns
ns
ns
ns
© 2010仙童半导体公司
2N3906 / MMBT3906 / PZT3906版本1.2.1
3
www.fairchildsemi.com
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
