MMBT3904SL - NPN外延硅晶体管
2008年2月
MMBT3904SL
NPN外延硅晶体管
特点
•通用放大器晶体管。
•超小型表面贴装封装的所有类型（最大0.43毫米高）
•适用于一般开关&放大
•非常适合用于便携式应用
•互补型， PNP MMBT3906SL推荐
•铅免费
C
E
B
SOT-923F
标记： AA
绝对最大额定值
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
T
J
T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
结温
存储温度范围
T
a
= 25 ° C除非另有说明
参数
价值
60
40
6
200
150
-55 ~ 150
单位
V
V
V
mA
°C
°C
* 1。这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
2.这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性*
中T = 25 ° C除非另有说明
a
符号
P
C
R
θJA
*最小焊盘。
参数
集电极耗散功率，由R
θJA
热阻，结到环境
最大
227
550
单位
mW
° C / W
电气特性*
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CEX
h
FE
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
直流电流增益
测试条件
I
C
= 10μA ，我
E
= 0
I
C
= 1mA时，我
B
= 0
I
E
= 10μA ，我
C
= 0
V
CE
= 60V, V
EB （O FF ）
= 3V
V
CE
= 1V ，我
C
= 0.1毫安
V
CE
= 1V ，我
C
= 1毫安
V
CE
= 1V ，我
C
= 10毫安
V
CE
= 1V ，我
C
= 50毫安
V
CE
= 1V ，我
C
= 100毫安
I
C
= 10毫安，我
B
= 1毫安
I
C
= 50mA时我
B
= 5毫安
I
C
= 10毫安，我
B
= 1毫安
I
C
= 50mA时我
B
= 5毫安
V
CE
= 20V ，我
C
= 10毫安中，f = 100MHz的
V
CB
= 5V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
V
EB
= 0.5V ，我
C
= 0中，f = 1MHz的
V
CC
= 3V ，我
C
= 10毫安
I
B1
=- I
B2
= 1毫安
分钟。
60
40
6
马克斯。
单位
V
V
V
50
40
70
100
60
30
nA
300
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
f
T
C
ob
C
ib
t
d
t
r
t
s
t
f
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
电流增益带宽积
输出电容
输入电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
0.2
0.3
0.65
300
6
15
35
35
200
50
0.85
0.95
V
V
V
V
兆赫
pF
pF
ns
ns
ns
ns
*直流项目是由脉冲测试测试：脉冲Width≤300us ，职务Cycle≤2 ％
©2007仙童半导体公司
MMBT3904SL版本1.0.0
1
www.fairchildsemi.com
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
