PN2222A / MMBT2222A / MMPQ2222 / NMT2222 / PZT2222A
NPN通用放大器
（续）
电气特性
符号
参数
TA = 25° C除非另有说明
测试条件
民
最大
单位
开关特性
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CEX
I
CBO
I
EBO
I
BL
集电极 - 发射极击穿电压*
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
基地截止电流
I
C
= 10 mA时，我
B
= 0
I
C
= 10
µA,
I
E
= 0
I
E
= 10
µA,
I
C
= 0
V
CE
= 60 V, V
EB （O FF ）
= 3.0 V
V
CB
= 60 V，I
E
= 0
V
CB
= 60 V，I
E
= 0, T
A
= 150°C
V
EB
= 3.0 V，I
C
= 0
V
CE
= 60 V, V
EB （O FF ）
= 3.0 V
40
75
6.0
10
0.01
10
10
20
V
V
V
nA
µA
µA
nA
nA
基本特征
h
FE
直流电流增益
I
C
= 0.1毫安， V
CE
= 10 V
I
C
= 1.0毫安， V
CE
= 10 V
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 10 V
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 10 V ，T
A
= -55°C
I
C
= 150毫安， V
CE
= 10 V*
I
C
= 150毫安， V
CE
= 1.0 V*
I
C
= 500毫安， V
CE
= 10 V*
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
35
50
75
35
100
50
40
300
V
CE（
SAT
)
V
BE （
SAT
)
集电极 - 发射极饱和
电压*
基射极饱和电压*
0.6
0.3
1.0
1.2
2.0
V
V
V
V
小信号特性
f
T
C
敖包
C
IBO
rb'C
C
NF
回复（H
ie
)
电流增益 - 带宽积
输出电容
输入电容
集电极基时间常数
噪声系数
共发射极的实部
高频输入阻抗
（ MMPQ2222和NMT2222除外）
I
C
能力= 20 mA ，V
CE
= 20 V ， F = 100 MHz的
V
CB
= 10 V，I
E
= 0中，f = 100千赫
V
EB
= 0.5 V，I
C
= 0中，f = 100千赫
I
C
能力= 20 mA ，V
CB
= 20 V ， F = 31.8兆赫
I
C
= 100
µA,
V
CE
= 10 V,
R
S
= 1.0千欧， F = 1.0千赫
I
C
能力= 20 mA ，V
CE
= 20 V ， F = 300 MHz的
300
8.0
25
150
4.0
60
兆赫
pF
pF
pS
dB
Ω
开关特性
t
d
t
r
t
s
t
f
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
（ MMPQ2222和NMT2222除外）
V
CC
= 30 V, V
BE （OFF）的
= 0.5 V,
I
C
= 150毫安，我
B1
= 15毫安
V
CC
= 30 V，I
C
= 150毫安，
I
B1
= I
B2
= 15毫安
10
25
225
60
ns
ns
ns
ns
*
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
µs,
占空比
≤
2.0%
SPICE模型
NPN （ IS = 14.34f XTI = 3 =例如1.11 VAF = 74.03 BF = 255.9 NE = 1.307伊势= 14.34f IKF = 0.2847 XTB = 1.5 BR = 6.092 NC = 2的Isc = 0
IKR = 0 RC = 1 CJC = 7.306p建超= 0.3416 VJC = 0.75 FC = 0.5 CJE = 22.01p MJE = 0.377 VJE = 0.75 TR表示46.91n铁蛋白= 411.1p ITF = 0.6
VTF = 1.7 XTF = 3的Rb = 10 ）
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
