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    MJE13005 参数 Datasheet PDF下载

    MJE13005图片预览
    型号： MJE13005
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 高压开关模式的应用 [High Voltage Switch Mode Application]
    分类和应用： 晶体开关晶体管功率双极晶体管高压
    文件页数/大小： 5 页 / 52 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号MJE13005的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MJE13005的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MJE13005的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MJE13005的Datasheet PDF文件第5页  
    MJE13004/13005
    MJE13004/13005
    高压开关模式的应用
    •高开关速度
    •适用于开关稳压器和电机控制
    1
    TO-220
    2.Collector
    3.Emitter
    1.Base
    NPN硅晶体管
    绝对最大额定值
    T
    C
    = 25 ° C除非另有说明
    符号
    V
    CBO
    集电极 - 基极电压
    ： MJE13004
    ： MJE13005
    V
    首席执行官
    集电极 - 发射极电压
    ： MJE13004
    ： MJE13005
    V
    EBO
    I
    C
    I
    CP
    I
    B
    P
    C
    T
    J
    T
    英镑
    发射极 - 基极电压
    集电极电流（ DC ）
    集电极电流（脉冲）
    基极电流
    集电极耗散（T
    C
    =25°C)
    结温
    储存温度
    300
    400
    9
    4
    8
    2
    75
    150
    - 65 ~ 150
    600
    700
    参数
    价值
    单位
    V
    V
    V
    V
    V
    A
    A
    A
    W
    °C
    °C
    电气特性
    T
    C
    = 25 ° C除非另有说明
    符号
    BV
    首席执行官
    （ SUS）的
    参数
    集电极 - 发射极电压维持
    ： MJE13004
    ： MJE13005
    发射极截止电流
    *直流电流增益
    *集电极 - 发射极饱和电压
    测试条件
    I
    C
    = 10毫安，我
    B
    = 0
    V
    EB
    = 9V ，我
    C
    = 0
    V
    CE
    = 5V ，我
    C
    = 1A
    V
    CE
    = 5V ，我
    C
    = 2A
    I
    C
    = 1A ，我
    B
    = 0.2A
    I
    C
    = 2A ，我
    B
    = 0.5A
    I
    C
    = 4A ，我
    B
    = 1A
    I
    C
    = 1A ，我
    B
    = 0.2A
    I
    C
    = 2A ，我
    B
    = 0.5A
    V
    CB
    = 10V ， F =为0.1MHz
    V
    CE
    = 10V ，我
    C
    = 0.5A
    V
    CC
    = 125V ，我
    C
    = 2A
    I
    B1
    = - I
    B2
    = 0.4A
    R
    L
    = 62.5Ω
    4
    0.8
    4
    0.9
    65
    10
    8
    分钟。
    300
    400
    1
    60
    40
    0.5
    0.6
    1
    1.2
    1.6
    V
    V
    V
    V
    V
    pF
    兆赫
    µs
    µs
    µs
    典型值。
    马克斯。
    单位
    V
    V
    mA
    I
    EBO
    h
    FE
    V
    CE
    （SAT）
    V
    BE
    （SAT）
    C
    ob
    f
    T
    t
    ON
    t
    英镑
    t
    F
    *基射极饱和电压
    输出电容
    电流增益带宽积
    启动时间
    贮存时间
    下降时间
    *脉冲测试： PW≤300μs ，值班cycle≤2 ％脉冲
    ©2001仙童半导体公司
    牧师A1 ， 2001年2月

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