MBR735 - MBR760
MBR735 - MBR760
特点
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低功耗，高效率。
高浪涌能力。
为了在低电压，高频率
逆变器，续流和极性
保护应用。
金属硅交界处，多数载流子
传导。
高电流能力，低正向
电压降。
保护环，过电压保护。
.113(2.87)
.103(2.62)
.594(15.1)
.587(14.91)
.27(6.86)
.23(5.84)
.412(10.5)
最大
迪亚
.154(3.91)
.148(3.74)
.185(4.70)
.175(4.44)
.055(1.40)
.045(1.14)
1
.16(4.06)
.14(3.56)
2
尺寸
在：
英寸（毫米）
.56(14.22)
.53(13.46)
.11(2.79)
.10(2.54)
TO-220AC
.037(0.94)
.027(0.68)
7.5安培肖特基势垒整流器
绝对最大额定值*
符号
I
O
i
F（重复）
i
F（浪涌）
平均整流电流
重复峰值正向电流
（额定V
R
，方波， 20千赫） @ T
A
= 105°C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到环境
热阻，结领导
存储温度范围
工作结温
.205(5.20)
.195(4.95)
PIN 1 +
+
PIN 2 -
个案的实证
例
.025(0.64)
.014(0.35)
T
A
= 25 ° C除非另有说明
外型尺寸是：英寸（毫米）
参数
价值
7.5
15
150
2.0
16.6
60
3.0
-65到+175
-65到+150
单位
A
A
A
W
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
°C
P
D
R
θJA
R
θJL
T
英镑
T
J
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
电气特性
参数
T
A
= 25 ° C除非另有说明
设备
735
745
45
31
45
10,000
0.1
15
-
0.57
0.84
0.72
1.0
0.5
50
0.75
0.65
-
-
0.5
750
50
35
50
760
60
42
60
35
24
35
单位
V
V
V
V /美
mA
mA
V
V
V
V
A
反向重复峰值电压
最大RMS电压
采用直流反接电压
（额定V
R
)
变化的电压率（额定V
R
)
最大反向电流
@额定V
R
T
A
= 25°C
T
A
= 125°C
最大正向电压
I
F =
7.5 A，T
C
= 25°C
I
F =
7.5 A，T
C
= 125°C
I
F =
15 A，T
C
= 25°C
I
F =
15 A，T
C
= 125°C
峰值重复反向浪涌电流
2.0我们脉宽， F = 1.0千赫
©1999
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
MBR735 - MBR760 ，版本A
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
