MBR2535CT - MBR2560CT
分立功率&信号
技术
MBR2535CT - MBR2560CT
特点
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低功耗，高效率。
高浪涌能力。
为了在低电压，高频率
逆变器，续流和极性
保护应用。
金属硅交界处，多数载流子
传导。
高电流能力，低正向
电压降。
保护环，过电压保护。
0.113(2.87)
0.103(2.62)
0.27(6.86)
0.23(5.84)
0.412(10.5)
最大
0.154(3.91)
0.148(3.74)
0.185(4.70)
0.175(4.44)
0.055(1.40)
0.045(1.14)
0.594(15.1)
0.587(14.9)
TO-220AB
1
0.16(4.06)
0.14(3.56)
2
3
0.11(2.79)
0.10(2.54)
销1
+
3脚
例
销2
0.037(0.94)
0.027(0.68)
0.56(14.22)
0.53(13.46)
30安培肖特基势垒整流器
绝对最大额定值*
符号
I
O
i
F（重复）
i
F（浪涌）
P
D
R
θJA
R
θJL
T
英镑
T
J
T
A
= 25 ° C除非另有说明
0.025(0.64)
0.105(2.67)
0.095(2.41)
0.014(0.35)
外型尺寸是：英寸（毫米）
参数
平均整流电流
.375 "引线长度@ T
A
= 130°C
重复峰值正向电流
（额定V
R
，方波， 20千赫） @ T
A
= 130°C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到环境
热阻，结领导
存储温度范围
工作结温
价值
30
单位
A
30
150
2.0
16.6
60
1.5
-65到+175
-65到+150
A
A
W
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
°C
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
电气特性
参数
T
A
= 25 ° C除非另有说明
设备
2535CT
2545CT
45
31
45
10,000
0.2
40
-
-
0.82
0.73
1.0
1.0
50
0.75
0.65
-
-
0.5
2550CT
50
35
50
2560CT
60
42
60
35
24
35
单位
V
V
V
V /美
mA
mA
V
V
V
V
A
反向重复峰值电压
最大RMS电压
采用直流反接电压
（额定V
R
)
变化的电压率（额定V
R
)
最大反向电流
T
A
= 25°C
@额定V
R
T
A
= 125°C
最大正向电压
I
F =
15 A，T
C
= 25°C
I
F =
15 A，T
C
= 125°C
I
F =
30 A，T
C
= 25°C
I
F =
30 A，T
C
= 125°C
峰值重复反向浪涌
当前
2.0我们脉宽， F = 1.0千赫
©1999
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
MBR2535CT - MBR2560CT ，版本A
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
