MBR20200CT - 双高压肖特基整流器
2008年8月
MBR20200CT
双高压肖特基整流器
产品特点：
•低正向压降
•低功耗和高效率
•高浪涌能力
•符合RoHS
•雾锡（ Sn）的无铅封装
•终端引线表面耐腐蚀，并能承受260 ℃的
•波峰焊或每MIL- STD- 750方法2026 。
1
马克： MBR20200CT
PIN3
PIN2
PIN1
+
_
绝对最大额定值*
符号
V
RRM
V
R
I
F（ AV ）
I
FSM
T
英镑
T
J
T
a
= 25 ° C除非另有说明
参数
最高重复反向电压
最大直流反向电压
平均正向电流整流，
Tc=115°C
峰值正向浪涌电流， 8.3ms的正弦半波
存储温度范围
工作结温
价值
200
200
10 （每腿）
20 （每设备）
150
-55 ~ 150
150
单位
V
V
A
A
°C
°C
*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
热特性*
符号
R
θJ
C
R
θJ
A
T
a
= 25 ° C除非另有说明
参数
热阻，结到每腿区分
热阻，结到每腿环境
最大
1.5
62.5
单位
° C / W
° C / W
* MIL标准883-1012 & JESD51-10
电气特性*
符号
I
R
T
a
= 25 ° C除非另有说明
参数
反向电流
测试条件
V
R
= 200V
V
R
= 200V
I
F
= 10A
I
F
= 10A
I
F
= 20A
I
F
= 20A
T
C
= 25
°C
T
C
= 125
°C
T
C
= 25
°C
T
C
= 125
°C
T
C
= 25
°C
T
C
= 125
°C
分钟。
马克斯。
0.2
5
0.9
0.8
1.0
0.9
单位
mA
V
F
正向电压
V
*直流项目是由脉冲测试测试：脉冲Width≤300us ，职务Cycle≤2 ％
© 2008飞兆半导体公司
MBR20200CT版本1.0.0
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