MBR20100CT - 双高压肖特基整流器
2010年10月
MBR20100CT
双高压肖特基整流器
特点
•
•
•
•
•
•
低正向压降
低功耗，高效率
高浪涌能力
符合RoHS
雾锡（ Sn）的无铅封装
终端信息表面耐腐蚀
并能承受260℃的
+
PIN1
PIN3
_
PIN2
TO-220
1
马克： MBR20100CT
绝对最大额定值*
符号
V
RRM
V
R
I
F（ AV ）
I
FSM
T
英镑
T
a
= 25 ° C除非另有说明
参数
最高重复反向电压
最大直流反向电压
平均正向电流整流，T
c
= 120°C
峰值正向浪涌电流， 8.3ms的正弦半波
存储温度范围
价值
100
100
10 （每腿）
20 （每设备）
150
-55到150
单位
V
V
A
A
°C
工作结温
150
°C
T
J
*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
热特性*
符号
R
θJ
C
R
θJ
A
* JESD51-10
T
a
= 25 ° C除非另有说明
参数
热阻，结到每腿区分
热阻，结到每腿环境
马克斯。
1.5
62.5
单位
° C / W
° C / W
电气特性*
符号
I
R
T
a
= 25 ° C除非另有说明
参数
反向电流
测试条件
V
R
= 100V
V
R
= 100V
I
F
= 10A
I
F
= 10A
I
F
= 20A
I
F
= 20A
T
c
= 25
°C
T
c
= 125
°C
T
c
= 25
°C
T
c
= 125
°C
T
c
= 25
°C
T
c
= 125
°C
分钟。
马克斯。
0.2
5
0.8
0.7
0.9
0.8
单位
mA
V
F
正向电压
V
*直流项目是由脉冲测试测试：脉冲Width≤300μs ，职务Cycle≤2 ％
© 2010仙童半导体公司
MBR20100CT A0牧师
1
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