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型号: IRFD120
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内容描述: 1.3A , 100V , 0.300 Ohm的N通道功率MOSFET [1.3A, 100V, 0.300 Ohm, N-Channel Power MOSFET]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 93 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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IRFD120
数据表
2002年1月
1.3A , 100V , 0.300 Ohm的N通道
功率MOSFET
这种先进的功率MOSFET的设计,测试和
保证承受的能量在一个特定的编辑水平
操作击穿雪崩模式。这些都是
N沟道增强型硅栅功率科幻场
效应晶体管设计的应用程序,例如开关
稳压器,开关转换器​​,电机驱动器,继电器驱动器,
和驱动高功率双极晶体管的开关
需要高速和低栅极驱动电源。它们可以是
直接从集成电路操作。
以前发育类型TA17401 。
特点
• 1.3A , 100V
• r
DS ( ON)
= 0.300
•单脉冲能量额定雪崩
• SOA是功耗有限公司
•纳秒的开关速度
•线性传输特性
•高输入阻抗
•相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
订购信息
产品型号
IRFD120
HEXDIP
BRAND
IRFD120
符号
D
注:订货时,使用整个零件编号。
G
S
包装
HEXDIP
来源
©2002仙童半导体公司
IRFD120版本B