IRF640B 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRF640B
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内容描述：	200V N沟道MOSFET [200V N-Channel MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小：	10 页 / 917 K
品牌：	FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]

IRF640B/IRFS640B

2001年11月

IRF640B/IRFS640B

200V N沟道MOSFET

概述

这些N沟道增强型功率场效应

晶体管采用飞兆半导体专有的，

平面， DMOS技术。

这种先进的技术已特别针对

最大限度地减少通态电阻，优越的开关

性能，并能承受高能量脉冲

雪崩和减刑模式。这些装置是公

适用于高效率开关DC / DC转换器，

开关模式电源，DC - AC转换器为

不间断电源和电机控制。

特点

•

18A ， 200V ，R

DS （ ON）

= 0.18Ω @V

= 10 V

低栅极电荷（典型的45 NC）

低的Crss （典型值45 pF的）

快速开关

100％的雪崩测试

改进的dv / dt能力

g DS的

TO-220

IRF系列

GD S

TO-220F

IRFS系列

绝对最大额定值

符号

DSS

GSS

dv / dt的

, T

英镑

= 25 ° C除非另有说明

参数

漏源电压

- 连续（T

= 25°C)

漏电流

- 连续（T

= 100°C)

漏电流

- 脉冲

（注1 ）

IRF640B

200

11.4

（注2 ）

（注1 ）

（注3）

IRFS640B

18 *

11.4 *

72 *

250

13.9

5.5

单位

V / ns的

W / ℃，

°C

栅源电压

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

功率耗散（T

= 25°C)

- 减免上述25℃

工作和存储温度范围

最大无铅焊接温度的目的，

8分之1 ＆ QUOT ;从案例5秒

139

1.11

-55到+150

300

0.35

*漏电流受最高结温。

热特性

符号

θJC

θCS

θJA

参数

热阻，结到外壳

热电阻，外壳到散热器

热阻，结到环境

IRF640B

0.9

0.5

62.5

IRFS640B

2.89

62.5

单位

° C / W

版本A ， 2001年11月

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