IRF640B/IRFS640B
典型特征
（续）
（T ）和T H的é R M一l研究（E S） P 0：N发E
10
0
D = 0 .5
0 .2
10
-1
0 .1
0 .0 5
0 .0 2
0 .0 1
S IN克乐P ü LS ê
※
N 2 O TE S：
1 . Z
θ
J·C
(t) = 0 .9
℃
/ W M A X 。
2 。 ð ü TY F A C到R，D = T
1
/t
2
3 . T
J·M
- T
C
= P
D M
* Z
θ
J·C
(t)
P
DM
t
1
t
2
Z
θ
JC
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
，S之四重W¯¯ AVE P ü LS E D ü RA TIO N [秒]
图11-1 。瞬态热响应曲线IRF640B
（T ）和T H的ê马币一l研究（E S） P 0：N发E
D = 0 .5
10
0
0 .2
0 .1
0 .0 5
10
-1
※
N 2 O TE S：
1 . Z
θ
J·C
(t) = 2 .8 9
℃
/ W M A X 。
2 。 ð ü TY F A C到R，D = T
1
/t
2
3 . T
J·M
- T
C
= P
D M
* Z
θ
J·C
(t)
0 .0 2
0 .0 1
S IN克乐P ü LS ê
10
-2
P
DM
t
1
t
2
Z
θ
JC
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
，S之四重W¯¯ AVE P ü LS E D ü RA TIO N [秒]
图11-2 。瞬态热响应曲线IRFS640B
©2001仙童半导体公司
版本A ， 2001年11月
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
