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HUFA76429D3S 参数 Datasheet PDF下载

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型号: HUFA76429D3S
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内容描述: 20A , 60V , 0.027 Ohm的N通道,逻辑电平UltraFET功率MOSFET [20A, 60V, 0.027 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关
文件页数/大小: 10 页 / 230 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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HUFA76429D3 , HUFA76429D3S
典型性能曲线
300
I
AS
,雪崩电流( A)
(续)
100
如果R = 0
t
AV
= (L)(我
AS
) / ( 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
)
若R
0
t
AV
= ( L / R) LN [(我
AS
* R ) / ( 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
) +1]
I
D
,漏电流( A)
100
100µs
起始物为
J
= 25
o
C
10
操作在此
区域可以
限于由R
DS ( ON)
1ms
10ms
起始物为
J
= 150
o
C
10
0.01
0.1
1
10
1
1
单脉冲
T
J
=最大额定
T
C
= 25
o
C
10
V
DS
,漏源极电压( V)
100
t
AV
,一次雪崩(毫秒)
注:请参阅飞兆半导体应用笔记AN9321和AN9322 。
图6.松开电感式开关
能力
图5.正向偏置安全工作区
50
I
D,
漏电流( A)
I
D
,漏电流( A)
40
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 % MAX
V
DD
= 15V
50
V
GS
= 10V
40
V
GS
= 5V
V
GS
= 4V
V
GS
= 3.5V
30
30
20
T
J
= 175
o
C
10
T
J
= -55
o
C
T
J
= 25
o
C
0
1.5
2
2.5
3
3.5
V
GS
,门源电压( V)
4
20
V
GS
= 3V
10
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 % MAX
T
C
= 25
o
C
0
1
2
3
V
DS
,漏源极电压( V)
4
0
图7.传热特性
图8.饱和特性
40
r
DS ( ON)
,漏极到源极
ON电阻(mΩ )
I
D
= 20A
30
I
D
= 10A
归一漏极至源极
抗性
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 % MAX
T
C
= 25
o
C
2.5
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 % MAX
2.0
V
GS
= 10V ,我
D
= 20A
1.5
20
1.0
10
2
4
6
8
V
GS
,门源电压( V)
10
0.5
-80
-40
0
40
80
120
T
J
,结温(
o
C)
160
200
图9.漏极至源极导通电阻VS门
电压和漏极电流
图10.归一漏极至源极ON
电阻与结温
©2001仙童半导体公司
HUFA76429D3 , HUFA76429D3S版本B