单通道： 6N135M ， 6N136M ， HCPL4503M
双通道： HCPL2530M ， HCPL2531M - 高速晶体管光电耦合器
电气特性
（续）
(T
A
= 0 〜70 ° C除非另有规定ED 。典型值是在T测
A
= 25° C和V
CC
= 5V.)
开关特性
(V
CC
= 5V)
符号参数
t
PHL
传播延迟
时间逻辑低
测试条件
T
A
= 25 ° C，R
L
= 4.1kΩ,
I
F
= 16毫安
(6)
（图7）的
R
L
= 1.9kΩ ，我
F
= 16毫安，
T
A
= 25°C
(7)
（图7）的
R
L
= 4.1kΩ ，我
F
= 16毫安
(6)
（图7）的
R
L
= 1.9kΩ ，我
F
= 16毫安
(7)
（图7）的
设备
6N135M
HCPL2530M
6N136M
HCPL4503M
HCPL2531M
6N135M
HCPL2530M
6N136M
HCPL4503M
HCPL2531M
6N135M
HCPL2530M
6N136M
HCPL4503M
HCPL2531M
6N135M
HCPL2530M
6N136M
HCPL4503M
HCPL2531M
6N135M
HCPL2530M
6N136M
HCPL2531M
HCPL4503M
6N135M
HCPL2530M
6N136M
HCPL2531M
分钟。
典型值。
0.23
0.25
马克斯。
1.5
0.8
单位
µs
µs
2.0
1.0
µs
µs
t
PLH
传播延迟
时间逻辑高
T
A
= 25 ℃， （注册商标
L
= 4.1kΩ,
I
F
= 16毫安
(6)
（图7）的
R
L
= 1.9kΩ ，我
F
= 16毫安
(7)
（图7）的
T
A
= 25°C
R
L
= 4.1kΩ ，我
F
= 16毫安
(6)
（图7）的
R
L
= 1.9kΩ ，我
F
= 16毫安
(7)
（图7）的
0.45
0.26
1.5
0.8
µs
µs
2.0
1.0
µs
µs
|厘米
H
|
共模
短暂
在免疫力
逻辑高
I
F
= 0毫安，V
CM
= 10V
P-P
,
R
L
= 4.1kΩ ，T
A
= 25°C
(8)
（图8）的
I
F
= 0毫安，V
CM
= 10V
P-P
,
R
L
= 1.9kΩ ，T
A
= 25°C
(8)
（图8）的
I
F
= 0毫安，V
CM
= 1,500V
P-P
,
R
L
= 1.9kΩ ，T
A
= 25°C
(8)
（图8）的
10,000
10,000
15,000
50,000
10,000
10,000
V / μs的
V / μs的
|厘米
L
|
共模
短暂
在免疫力
逻辑低
I
F
= 16毫安，V
CM
= 10V
P-P
,
R
L
= 4.1kΩ ，T
A
= 25°C
(8)
（图8）的
I
F
= 16毫安，V
CM
= 10V
P-P
,
R
L
= 1.9kΩ
(8)
（图8）的
V / μs的
V / μs的
I
F
= 0毫安，V
CM
= 1,500V
P-P
,
R
L
= 1.9kΩ ，T
A
= 25°C
(8)
（图8）的
HCPL4503M
15,000
50,000
注意事项：
6. 4.1kΩ负载代表了0.36毫安和6.1kΩ的上拉电阻1 LSTTL单位负载。
7.在1.9kΩ负载代表了1.6毫安和5.6kΩ的上拉电阻1 TTL单位负载。
在逻辑高电平8.共模瞬态抗扰度是最大容许（正）DV
cm
/ DT上的领先优势
共模脉冲信号V
CM
，以保证该输出将保持在逻辑高状态（也就是，V
O
> 2.0V ） 。
在逻辑低电平共模瞬变抗扰度是最大容忍的（负面）DV
cm
/ dt的后缘上
共模脉冲信号，V的
CM
，以保证该输出将保持在逻辑低状态（也就是，V
O
< 0.8V ） 。
© 2008飞兆半导体公司
6N13XM ， HCPLXXXM版本1.0.6
www.fairchildsemi.com
5
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
