H11AA1 ， H11AA3 ， H11AA2 ， H11AA4 AC输入/光电晶体管光耦合器
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
单个组件特性
参数
测试条件
辐射源
输入正向电压
电容
探测器
击穿电压
集电极到发射极
收藏家基地
发射器基
发射极到集电极
漏电流
集电极到发射极
电容
集电极到发射极
收藏家基地
发射器基
I
C
= 1.0毫安，我
F
= 0
I
C
= 100 ¼A ，我
F
= 0
I
E
= 100 ¼A ，我
F
= 0
I
E
= 100 ¼A ，我
F
= 0
V
CE
= 10 V，I
F
= 0
V
CE
= 0中，f = 1 MHz的
V
CE
= 0中，f = 1 MHz的
V
CE
= 0中，f = 1 MHz的
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
EBO
BV
ECO
I
首席执行官
C
CE
C
CB
C
EB
所有
所有
所有
所有
H11AA1,3,4
H11AA2
所有
所有
所有
10
80
15
30
70
5
7
50
200
pF
pF
pF
V
V
V
V
nA
I
F
= -10毫安
V
F
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
F
C
J
所有
所有
1.2
80
1.5
V
pF
符号
设备
民
典型值
最大
单位
传输特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
特征
电流传输比，
集电极到发射极
测试条件
I
F
= -10毫安，V
CE
= 10 V
符号设备
CTR
CE
H11AA4
H11AA3
H11AA1
H11AA2
民
100
50
20
10
.33
典型值
最大
单位
%
电流传输比，对称性
饱和电压
集电极到发射极
I
F
= -10毫安，V
CE
= 10 V （ Figure.8 ）
I
F
= -10毫安，我
CE
- 0.5毫安
V
CE （ SAT ）
所有
所有
3.0
.40
V
隔离特性
特征
封装电容输入/输出
隔离电压
绝缘电阻
测试条件
V
我-O
= 0中，f = 1 MHz的
F = 60赫兹，吨= 1分钟。
V
我-O
= 500 VDC
符号
C
我-O
V
ISO
R
ISO
民
5300
1011
典型值
0.7
最大
单位
pF
VAC （ RMS）
Ω
2
H11AA1 ， H11AA3 ， H11AA2 ， H11AA4版本1.0.0
www.fairchildsemi.com
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
