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    FQPF8N60CYDTU 参数 Datasheet PDF下载

    FQPF8N60CYDTU图片预览
    型号： FQPF8N60CYDTU
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE, TO-220F, 3 PIN]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲PC局域网
    文件页数/大小： 10 页 / 928 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FQPF8N60CYDTU的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FQPF8N60CYDTU的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FQPF8N60CYDTU的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FQPF8N60CYDTU的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FQPF8N60CYDTU的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FQPF8N60CYDTU的Datasheet PDF文件第7页浏览型号FQPF8N60CYDTU的Datasheet PDF文件第8页浏览型号FQPF8N60CYDTU的Datasheet PDF文件第9页  
    FQP8N60C/FQPF8N60C
    典型特征
    （续）
    1.2
    3.0
    BV
    DSS
    （归一化）
    漏源击穿电压
    1.1
    R
    DS （ ON）
    （归一化）
    漏源导通电阻
    2.5
    2.0
    1.0
    1.5
    1.0
    ※
    注意事项：
    1. V
    GS
    = 10 V
    2. I
    D
    = 4 A
    0.9
    ※
    注意事项：
    1. V
    GS
    = 0 V
    2. I
    D
    = 250 µA
    0.5
    0.8
    -100
    -50
    0
    50
    100
    o
    150
    200
    0.0
    -100
    -50
    0
    50
    100
    o
    150
    200
    T
    J
    ，结温[C]
    T
    J
    ，结温[C]
    图7.击穿电压变化
    与温度
    10
    2
    图8.导通电阻变化
    与温度
    在这一领域
    由R有限公司
    DS （ ON）
    10
    µ
    s
    100
    µ
    s
    10
    2
    在这一领域
    由R有限公司
    DS （ ON）
    I
    D
    ，漏电流[ A]
    10
    1
    10
    µ
    s
    I
    D
    ，漏电流[ A]
    1毫秒
    10毫秒
    100毫秒
    10
    1
    100
    µ
    s
    10毫秒
    100毫秒
    1毫秒
    10
    0
    DC
    10
    0
    DC
    10
    -1
    ※
    注意事项：
    o
    1. T
    C
    = 25 C
    10
    -1
    2. T
    J
    = 150 C
    3.单脉冲
    o
    10
    -2
    ※
    注意事项：
    o
    1. T
    C
    = 25 C
    o
    2. T
    J
    = 150 C
    3.单脉冲
    0
    1
    2
    3
    10
    0
    10
    1
    10
    2
    10
    3
    10
    -2
    V
    DS
    ，漏源电压[V]
    10
    10
    10
    10
    V
    DS
    ，漏源电压[V]
    图9-1 。最大安全工作区
    对于FQP8N60C
    图9-2 。最大安全工作区
    对于FQPF8N60C
    8
    6
    I
    D
    ，漏电流[ A]
    4
    2
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    T
    C
    ，外壳温度[
    ℃
    ]
    图10.最大漏极电流
    VS外壳温度
    ©2004仙童半导体公司
    版本B ， 2004年3月

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