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FQPF8N60C 参数 Datasheet PDF下载

FQPF8N60C图片预览
型号: FQPF8N60C
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内容描述: 600V N沟道MOSFET [600V N-Channel MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲PC局域网
文件页数/大小: 10 页 / 928 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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FQP8N60C/FQPF8N60C
QFET
FQP8N60C/FQPF8N60C
600V N沟道MOSFET
概述
这些N沟道增强型功率场效应
晶体管采用飞兆半导体专有的,
平面条形, DMOS技术。
这种先进的技术已特别针对
最大限度地减少通态电阻,优越的开关
性能,并能承受高能量脉冲
雪崩和减刑模式。这些装置是公
适用于高效率的开关型电源,
有源功率因数校正,电子镇流器
基于半桥拓扑。
®
特点
7.5A , 600V ,R
DS ( ON)
= 1.2Ω @V
GS
= 10 V
低栅极电荷(典型的28 NC)
低的Crss (典型值12pF的)
快速开关
100%的雪崩测试
改进的dv / dt能力
D
!
G
!
g DS的
TO-220
FQP系列
GD S
TO-220F
FQPF系列
!
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GSS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源电压
- 连续(T
C
= 25°C)
漏电流
- 连续(T
C
= 100°C)
漏电流
- 脉冲
(注1 )
FQP8N60C
600
7.5
4.6
30
FQPF8N60C
7.5 *
4.6 *
30 *
±
30
230
7.5
14.7
4.5
单位
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W / ℃,
°C
°C
栅源电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功率耗散(T
C
= 25°C)
(注2 )
(注1 )
(注1 )
(注3)
- 减免上述25℃
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的,
8分之1 & QUOT ;从案例5秒
147
1.18
-55到+150
300
48
0.38
*漏电流受最高结温。
热特性
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
参数
热阻,结到外壳
热电阻,凯斯到水槽典型。
热阻,结到环境
FQP8N60C
0.85
0.5
62.5
FQPF8N60C
2.6
--
62.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
©2004仙童半导体公司
版本B , 2004年3月