欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

FQPF8N60CFT 参数 Datasheet PDF下载

FQPF8N60CFT图片预览
型号: FQPF8N60CFT
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 600V N沟道MOSFET [600V N-Channel MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 8 页 / 751 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号FQPF8N60CFT的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FQPF8N60CFT的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FQPF8N60CFT的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FQPF8N60CFT的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FQPF8N60CFT的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FQPF8N60CFT的Datasheet PDF文件第7页浏览型号FQPF8N60CFT的Datasheet PDF文件第8页  
FQPF8N60CF 600V N沟道MOSFET
典型性能特性
(续)
图7.击穿电压变化
与温度的关系
1.2
图8.导通电阻变化
与温度的关系
BV
DSS
(归一化)
漏源击穿电压
3.0
1.1
R
DS ( ON)
(归一化)
漏源导通电阻
2.5
2.0
1.0
1.5
0.9
1.0
*注意:
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 3.13 A
*注意:
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
0.5
0.8
-100
-50
0
50
100
o
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
o
150
200
T
J
,结温[C]
T
J
,结温[C]
图9.最高安全工作区
图10.最大漏极电流
与外壳温度
8
10
2
在这一领域
由R有限公司
DS ( ON)
10
µ
s
100
µ
s
10ms
6
10
1
I
D
,漏电流[ A]
10
0
100ms
DC
I
D
,漏电流[ A]
10
3
1ms
4
10
-1
*注意:
o
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
2
10
-2
10
0
10
1
10
2
0
25
50
75
100
o
125
150
V
DS
,漏SourceVoltage [V ]
T
C
,外壳温度[C]
图11.瞬态热响应曲线
10
0
D=0.5
0.2
0.1
0.05
Z
? JC
热响应
(t),
10
-1
P
DM
t
1
t
2
0.02
0.01
单脉冲
10
-2
*注意:
1. Z
? JC
= 2.6 ? / W最大。
(t)
2.占空比,D = T
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
? JC
(t)
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
,方波脉冲持续时间(秒)
FQPF8N60CF版本A
4
www.fairchildsemi.com