FQPF2N60C 参数 Datasheet PDF下载

型号：	FQPF2N60C
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内容描述：	600V N沟道MOSFET [600V N-Channel MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	10 页 / 831 K
品牌：	FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]

FQP2N60C/FQPF2N60C

QFET

FQP2N60C/FQPF2N60C

600V N沟道MOSFET

概述

这些N沟道增强型功率场效应

晶体管采用飞兆半导体专有的，

平面条形， DMOS技术。

这种先进的技术已特别针对

最大限度地减少通态电阻，优越的开关

性能，并能承受高能量脉冲

雪崩和减刑模式。这些装置是公

适用于高效率的开关型电源，

有源功率因数校正，电子镇流器

基于半桥拓扑。

特点

•

2.0A ， 600V ，R

DS （ ON）

= 4.7Ω @V

= 10 V

低栅极电荷（典型值8.5 NC）

低的Crss （典型值4.3 pF的）

快速开关

100％的雪崩测试

改进的dv / dt能力

●

◀

▲

●

g DS的

TO-220

FQP系列

GD S

TO-220F

FQPF系列

绝对最大额定值

符号

DSS

GSS

dv / dt的

, T

英镑

= 25 ° C除非另有说明

参数

漏源电压

- 连续（T

= 25°C)

漏电流

- 连续（T

= 100°C)

漏电流

- 脉冲

（注1 ）

FQP2N60C

600

2.0

1.35

FQPF2N60C

2.0 *

1.35 *

120

2.0

5.4

4.5

单位

V / ns的

W / ℃，

°C

栅源电压

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

功率耗散（T

= 25°C)

（注2 ）

（注1 ）

（注3）

- 减免上述25℃

工作和存储温度范围

最大无铅焊接温度的目的，

8分之1 ＆ QUOT ;从案例5秒

0.43

-55到+150

300

0.18

*漏电流受最高结温。

热特性

符号

θJC

θCS

θJA

参数

热阻，结到外壳

热电阻，凯斯到水槽典型。

热阻，结到环境

FQP2N60C

2.32

0.5

62.5

FQPF2N60C

5.5

62.5

单位

° C / W

版本A ， 2003年9月

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