FQP4N90C 参数 Datasheet PDF下载

型号：	FQP4N90C
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	900V N沟道MOSFET [900V N-Channel MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	10 页 / 899 K
品牌：	FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]

FQP4N90C/FQPF4N90C

QFET

FQP4N90C/FQPF4N90C

900V N沟道MOSFET

概述

这些N沟道增强型功率场效应

晶体管采用飞兆半导体专有的，

平面条形， DMOS技术。

这种先进的技术已特别针对

最大限度地减少通态电阻，优越的开关

性能，并能承受高能量脉冲

雪崩和减刑模式。这些装置是公

适用于高效率开关模式电源。

特点

•

4A ， 900V ，R

DS （ ON）

= 4.2Ω @V

= 10 V

低栅极电荷（典型值17nC ）

低的Crss （典型值5.6 pF的）

快速开关

100％的雪崩测试

改进的dv / dt能力

●

◀

▲

●

g DS的

TO-220

FQP系列

GD S

TO-220F

FQPF系列

绝对最大额定值

符号

DSS

GSS

dv / dt的

, T

英镑

= 25 ° C除非另有说明

参数

漏源电压

- 连续（T

= 25°C)

漏电流

- 连续（T

= 100°C)

漏电流

- 脉冲

（注1 ）

FQP4N90C

900

2.3

FQPF4N90C

2.3 *

16 *

570

4.5

单位

V / ns的

W / ℃，

°C

栅源电压

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

功率耗散（T

= 25°C)

（注2 ）

（注1 ）

（注3）

- 减免上述25℃

工作和存储温度范围

最大无铅焊接温度的目的，

8分之1 ＆ QUOT ;从案例5秒

140

1.12

-55到+150

300

0.38

*漏电流受最高结温。

热特性

符号

θJC

θCS

θJA

参数

热阻，结到外壳

热电阻，凯斯到水槽典型。

热阻，结到环境

FQP4N90C

0.89

0.5

62.5

FQPF4N90C

2.66

62.5

单位

° C / W

版本A ， 2003年6月

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案