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FQA9N90C 参数 Datasheet PDF下载

FQA9N90C图片预览
型号: FQA9N90C
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内容描述: 900V N沟道MOSFET [900V N-Channel MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 9 页 / 798 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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FQA9N90C 900V N沟道MOSFET
典型性能特性
(续)
图7.击穿电压变化
与温度的关系
1.2
图8.导通电阻变化
与温度的关系
3.0
BV
DSS
(归一化)
漏源击穿电压
1.1
R
DS ( ON)
(归一化)
漏源导通电阻
2.5
2.0
1.0
1.5
1.0
注意事项:
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 4.5 A
0.9
注意事项:
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250 µA
0.5
0.8
-100
-50
0
50
100
o
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
o
150
200
T
J
,结温[C]
T
J
,结温[C]
图9.最高安全工作区
图10.最大漏极电流
与外壳温度
10
10
2
在这一领域
由R有限公司
DS ( ON)
10
µ
s
100
µ
s
1毫秒
10毫秒
DC
8
I
D
,漏电流[ A]
10
1
I
D
,漏电流[ A]
6
10
0
4
10
-1
注意事项:
o
1. T
C
= 25 C
o
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
2
10
-2
10
0
10
1
10
2
10
3
0
25
50
75
100
125
150
V
DS
,漏源电压[V]
T
C
,外壳温度[
]
图11.瞬态热响应曲线
10
0
Z
θ
JC
(T ) ,热响应
D = 0 .5
-1
10
0 .2
0 .1
0 .0 5
0 .0 2
N 2 O TE S:
1 . Z
θ
J·C
(t) = 0 .4 5
/ W M A X 。
2 。 ð ü TY F A C到R,D = T
1
/t
2
3 . T
J·M
- T
C
= P
D M
* Z
θ
J·C
(t)
P
DM
t
1
S IN克乐P ü LS ê
t
2
10
-2
0 .0 1
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
,S之四重W¯¯ AVE P ü LS E D ü RA TIO N [秒]
FQA9N90C牧师A1
4
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