FQA8N90C
典型特征
（续）
1.2
3.0
2.5
BV
DSS
（范
alized ）
漏源击穿电压
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
※
注意事项：
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 4.0 A
0.9
※
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
μ
A
0.5
0.8
-100
-50
0
50
100
o
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
o
150
200
T
J
，结温[C]
T
J
，结温[C]
图7.击穿电压变化
图8.导通电阻变化
10
2
10
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
10
µ
s
100
µ
s
1毫秒
10毫秒
DC
8
I
D
，漏电流[ A]
10
I
D
，漏电流[ A]
1
6
10
0
4
10
-1
※
注意事项：
1. T
C
= 25 C
o
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
2
10
-2
10
0
10
1
10
2
10
3
0
25
50
75
100
125
150
V
DS
，漏源电压[V]
T
C
，外壳温度[
℃
]
图9.最高安全工作区
图10.最大漏极电流
VS外壳温度
10
0
（T ）和T H的ê马币一l研究（E S） P 0：N发E
D = 0 .5
※
N 2 O TE S：
1 . Z
θ
J·C
(t) = 0 .5 2
℃
/ W M A X 。
2 。 ð ü TY F A C到R，D = T
1
/t
2
3 . T
J·M
- T
C
= P
D M
* Z
θ
J·C
(t)
10
-1
0 .2
0 .1
0 .0 5
0 .0 2
0 .0 1
P
DM
t
1
t
2
S IN克乐P ü LS ê
Z
θ
JC
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
，S单方W¯¯ AVE P ü LS E D市建局TIO N [秒]
图11.瞬态热响应曲线
© 2003仙童半导体公司
版本A ， 2003年3月
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
