FQA8N90C-F109 参数 Datasheet PDF下载

型号：	FQA8N90C-F109
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内容描述：	N沟道MOSFET QFETÂ® 900 V， 8 A， 1.9 I© [N-Channel QFETÂ® MOSFET 900 V, 8 A, 1.9 Î©]
分类和应用：
文件页数/大小：	8 页 / 1081 K
品牌：	FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]

FQA8N90C_F109

• N沟道

QFET

MOSFET

十二月

2013

FQA8N90C_F109

900 V， 8 A， 1.9 Ω

特点

•低的Crss （典型值12pF的）

• 100%

雪崩测试

•符合RoHS

柔顺

N沟道

QFET ™

MOSFET

描述

这种N沟道增强型功率MOSFET是

采用飞兆半导体专有的平面制作

条纹和DMOS技术。这种先进的MOSFET

技术已特别针对减少通态

阻力，从而能够提供优越的开关性能和

高雪崩能量强度。这些器件适用于

开关模式电源，有源功率因数校正

（PFC），和电子镇流器。

• 8 A， 900 V ，R

DS （ ON）

= 1.9

Ω

（ MAX 。）

@ V

= 10 V,

= 4 V

= LOW

栅极电荷

（典型值35 NC ）

TO-3PN

= 25_C除非另有说明。

绝对最大额定值

符号

DSS

GSS

dv / dt的

, T

英镑

漏源电压

漏电流

参数

- 连续（T

= 25°C)

- 连续（T

= 100°C)

- 脉冲

（注1 ）

FQA8N90C_F109

900

8.0

5.1

（注2 ）

（注1 ）

（注3）

单位

V / ns的

W / ℃，

°C

栅源电压

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

功率耗散（T

= 25°C)

- 减免上述25℃

工作和存储温度范围

最大无铅焊接温度的目的，

8分之1 ＆ QUOT ;从案例5秒

850

8.0

4.0

240

1.92

-55到+150

300

热特性

符号

θJC

θCS

θJA

参数

热阻，结到外壳，

马克斯。

热电阻，凯斯到库，

典型值。

热阻，结到环境，

马克斯。

FQA8N90C_F109

0.52

0.24

单位

° C / W

FQA8N90C_F109 C1版本

www.fairchildsemi.com

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