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FQA11N90C 参数 Datasheet PDF下载

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型号: FQA11N90C
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内容描述: 900V N沟道MOSFET [900V N-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 817 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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FQA11N90C 900V N沟道MOSFET
2006年9月
QFET
FQA11N90C
900V N沟道MOSFET
特点
11A , 900V ,R
DS ( ON)
= 1.1Ω @V
GS
= 10 V
低栅极电荷(典型的60 NC)
低的Crss (典型值23pF )
快速开关
100%的雪崩测试
改进的dv / dt能力
®
描述
这些N沟道增强型功率场效应
晶体管都采用飞兆半导体专有的,平面出品
条纹, DMOS技术。
这种先进的技术已特别针对
最大限度地减少通态电阻,优越的开关
性能,并能承受高能量脉冲雪崩
和减刑模式。这些装置非常适用于高
高效率开关电源,有源功率因数
基于半桥校正,电子镇流器
拓扑结构。
D
G
TO-3P
g DS的
常见问题解答系列
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GSS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
漏源电压
漏电流
漏电流
- 连续(T
C
= 25°C)
- 连续(T
C
= 100°C)
- 脉冲
(注1 )
参数
FQA11N90C
900
11.0
6.9
44.0
±
30
(注2 )
(注1 )
(注1 )
(注3)
单位
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W / ℃,
°C
°C
栅源电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功率耗散(T
C
= 25°C)
- 减免上述25℃
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的,
8分之1 & QUOT ;从案例5秒
960
11.0
30
4.0
300
2.38
-55到+150
300
热特性
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
参数
热阻,结到外壳
热电阻,外壳到散热器
热阻,结到环境
典型值
--
0.24
--
最大
0.42
--
40
单位
° C / W
° C / W
° C / W
©2006仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
FQA11N90C牧师A1