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FDS9933_06 参数 Datasheet PDF下载

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型号: FDS9933_06
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内容描述: 双P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET [Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 110 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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FDS9933
电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
∆T
J
I
DSS
I
GSS
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏
(注2 )
测试条件
V
GS
= 0 V,I
D
= –250
µA
I
D
= –250
µA,
参考25 ℃下
V
DS
= –16 V,
V
GS
= ±12 V,
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
–20
典型值
最大单位
V
开关特性
–12
–1
±100
毫伏/°C的
µA
nA
基本特征
V
GS ( TH)
∆V
GS ( TH)
∆T
J
R
DS ( ON)
I
D(上)
g
FS
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
µA
I
D
= –250
µA,
参考25 ℃下
V
GS
= –4.5 V,
V
GS
= –2.5 V,
V
GS
= –4.5 V,
V
DS
= –9 V,
V
DS
= –10 V,
F = 1.0 MHz的
I
D
= –3.2 A
I
D
= –1.0 A
V
DS
= –5 V
I
D
= –3.4 A
V
GS
= 0 V,
–0.6
–0.8
3
44
72
–1.2
V
毫伏/°C的
55
90
mΩ
A
–16
8
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
(注2 )
825
420
150
pF
pF
pF
开关特性
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= –10 V,
V
GS
= –4.5 V,
I
D
= –1 A,
R
= 6
16
46
40
25
40
80
70
40
20
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= –6 V,
V
GS
= –4.5 V
I
D
= –3.2A,
10
2.1
3.3
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
电压
V
GS
= 0 V,
I
S
= –2.0 A
(注2 )
–2.0
–0.7
–1.2
A
V
注意事项:
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻,其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。 ř
θJC
由设计而ř
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
a)
78 ° C / W时,
安装在一
2
2个0.5英寸盘
盎司铜
b)
125 ° C / W时,
安装在一
2
在垫0.02
2盎司铜
c)
135 ° C / W时,
安装在一
最小焊盘。
在信纸尺寸的纸张1 : 1规模
2.
脉冲测试:脉冲宽度< 300μS ,占空比< 2.0 %
FDS9933 C版本